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公开(公告)号：CN116745632A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280010841.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种金刚石磁传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；以及检测部，检测来自金刚石的色心的放射光，检测部检测通过不向金刚石照射电磁波而由激发光照射部向金刚石照射激发光从而产生的放射光，所述金刚石磁传感器单元能够包括导电部件，所述导电部件与传感器部间隔10mm以上而配置，传播电磁波。
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公开(公告)号：CN109715858A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056604.X
申请日：2017-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种碳材料，在通过拉曼散射光谱法测定的光谱中，该碳材料具有出现在1250cm-1至1400cm-1的范围内的与金刚石键相关的峰和/或与类金刚石键相关的峰，在1250cm-1至1400cm-1的范围内出现的峰中，最大峰的半峰全宽或最大峰和第二大峰的半峰全宽的信号小于100cm-1。
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公开(公告)号：CN108474136A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780007532.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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公开(公告)号：CN107923067A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046754.8
申请日：2016-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: B21C3/025 , B21C3/02 , B23B27/14 , B23B27/20 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供了一种单晶金刚石，其包括一组彼此相对的主表面，其中，在主表面中，杂质浓度沿着第一方向变化。
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公开(公告)号：CN104603335B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201480002248.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
Abstract: 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106661759A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043048.3
申请日：2015-08-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种能缩短分离衬底和金刚石层的分离时间的金刚石复合体、衬底和制造金刚石的方法、以及从所述金刚石复合体获得的金刚石和包括所述金刚石的工具。所述金刚石复合体包括：包括金刚石籽晶并在主表面中具有沟槽的衬底，形成在所述衬底的主表面上的金刚石层，以及在距所述衬底和所述金刚石层之间的界面恒定深度处形成在衬底侧上的非金刚石层。
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公开(公告)号：CN106661758A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042702.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C01B31/06 , C01B32/25 , C23C14/48 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN106460226A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032164.5
申请日：2015-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C01B32/25 , C30B25/186 , C30B25/20
Abstract: 本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。
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公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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