公开(公告)号：CN100483627C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。

公开(公告)号：CN101314211A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710162471.2

申请日：2007-10-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 目崎义雄 ,  西浦隆幸 ,  中山雅博

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/04

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B37/0056 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表面上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤(S10)、第一抛光步骤(S20)和第二抛光步骤(S30)。在制备步骤(S10)中，制备化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)之后的第二抛光步骤(S30)中，利用包含无机增效剂pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。

公开(公告)号：CN100416868C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03158057.2

申请日：2003-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼公司

Inventor： 中山雅博 ,  松本直树 ,  玉村好司 ,  池田昌夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  Y10S438/959

Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。

公开(公告)号：CN1577743A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1－xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。

公开(公告)号：CN1549357A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03158057.2

申请日：2003-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼公司

Inventor： 中山雅博 ,  松本直树 ,  玉村好司 ,  池田昌夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  Y10S438/959

Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。

公开(公告)号：CN101314211B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710162471.2

申请日：2007-10-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 目崎义雄 ,  西浦隆幸 ,  中山雅博

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/04

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B37/0056 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤(S10)、第一抛光步骤(S20)和第二抛光步骤(S30)。在制备步骤(S10)中，制备化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)之后的第二抛光步骤(S30)中，利用包含无机增效剂pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。

公开(公告)号：CN101661910A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170653.3

申请日：2004-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  松本直树

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L21/30612

Abstract: 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H 2 O 2 ，H 2 SO 4 +H 2 O 2 ，HCl+H 2 O 2 或HNO 3 的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。

公开(公告)号：CN101630641A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910164545.5

申请日：2009-07-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  樋口恭明

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/20 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/186 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供III-V族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法，其中以高精度控制在衬底上或晶片中形成的氧化膜的厚度，并阻止所述外延晶片的表面变粗糙。本发明的制造III-V族化合物半导体衬底的方法包括如下步骤：首先，提供由III-V族化合物半导体构成的衬底；其后，用酸性溶液清洁所得到的衬底；随后，在所述清洁之后通过湿法在所述衬底上形成氧化膜。进一步地，通过在上述III-V族化合物半导体衬底上形成外延层可得到外延晶片。

公开(公告)号：CN101239450A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008607.9

申请日：2008-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  山崎哲弥

IPC: B24B29/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  B24B57/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 一种执行用作对GaAs晶片初步抛光操作的机械化学抛光的方法，该方法利用除水之外包含二氯异氰尿酸、三聚磷酸钠、硫酸钠、碳酸钠和硅胶作为组分的机械化学抛光溶液，该方法包括步骤：将该晶片安装在机械化学抛光设备上；通过供给所述抛光设备以具有第一成分抛光溶液来执行第一阶段抛光，在该第一成分中在除水之外的所述组分中包含20－31质量％的三聚磷酸钠；随后通过供给所述抛光设备以具有第二成分抛光溶液来执行第二阶段抛光，在该第二成分中在除水之外的所述组分中包含13－19质量％的三聚磷酸钠。

公开(公告)号：CN1875465A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031798.0

申请日：2004-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  松本直树

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L21/30612

Abstract: 当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工－变换层。为了除去加工－变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工－变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。