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公开(公告)号：CN100416868C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03158057.2
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/08 , H01L21/02024 , Y10S438/959
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN1549357A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03158057.2
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/08 , H01L21/02024 , Y10S438/959
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN1994676A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610160545.4
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN101274419B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810086581.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24D3/00
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B7/228 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，包括：第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板；第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板；表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下；加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。
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公开(公告)号：CN101335205B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810144145.3
申请日：2005-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: H01L21/304 , B28D5/04 , B28D1/06 , B24B27/06
CPC classification number: H01L21/02027 , B28D5/045 , C09G1/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/302 , H01L29/2003 , Y10T83/9292
Abstract: 本发明的目的在于提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1-100}面倾斜3°以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101884094A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101212.6
申请日：2009-02-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02021 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L24/32 , H01L33/0075 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。
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公开(公告)号：CN101661910A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170653.3
申请日：2004-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/30612
Abstract: 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H 2 O 2 ，H 2 SO 4 +H 2 O 2 ，HCl+H 2 O 2 或HNO 3 的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN100424817C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410087907.2
申请日：2004-10-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成GaN层，然后除去基础衬底而制备的独立GaN膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±40μm至±100μm。由于有此翘曲，通过光刻法制备器件是有挑战性的，将翘曲降低至+30μm至-20μm是本发明的目标。研磨凹向偏离的表面，以赋予其具有伸展作用的损坏层，使表面变成凸面。通过蚀刻除掉已成为凸面的表面上的损坏层，这降低了翘曲。备选地，研磨在已成为凸面的对侧表面上的凸表面，产生损坏层。由于因损坏层已变成为凸面的凹表面，适宜地蚀刻掉损坏层，使翘曲降低。
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公开(公告)号：CN101274419A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086581.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24D3/00
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B7/228 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。
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公开(公告)号：CN1908251A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105961.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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