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公开(公告)号：CN116017986A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310093328.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种逻辑门电路，包括：上拉电阻和铁电晶体管，铁电晶体管内部由上至下依次设置有主栅极、沟道和背栅极，其中，沟道的两端分别设置有源极和漏极，主栅极和沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层，沟道和背栅极之间由上至下依次设置有阻绝氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；上拉电阻与漏极连接。通过本申请，解决了相关技术中逻辑门电路工作能耗高的问题，降低了逻辑门电路的工作能耗。
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公开(公告)号：CN115425965B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211366929.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H03K19/20 , G06F30/34 , G06F30/343
Abstract: 本说明书公开了一种可重构逻辑门电路及电路的控制方法，可以通过更改第一脉冲的频率、第二脉冲的方向，以及直流电压的大小等电学操作，使得可重构逻辑电路的逻辑状态在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间进行切换，从而使得一个逻辑电路可以作为两种不同的逻辑电路使用，进而可以提高硬件资源的利用率，并降低了硬件设备的成本。
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公开(公告)号：CN115101103A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210555968.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C11/22 , G11C11/4072
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管阵列的编程和擦除方法，该方法在晶体管底部引出电极，通过控制底电极电位对晶体管进行信息存储。以n型铁电晶体管为例，存储信息0时，栅极施加大的正电压，源端，漏端和底电极电压为0V，铁电极化正向翻转。存储信息1时，栅极，源端和漏端电压设为0V，底电极施加大的正电压，铁电极化负向翻转。由于共用底电极，可实现信息的片擦除。该方法可使铁电极化有效翻转，增大晶体管的存储窗口。相比单个器件依次擦除，片擦除能够在不增加晶体管面积的前提下高效地实现大面积擦除。该技术不仅对体衬底的铁电晶体管阵列有效，也可应用于绝缘体上硅的铁电晶体管阵列。
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公开(公告)号：CN117037871A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311298426.5
申请日：2023-10-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请涉及一种存内计算结果的读出电路、读出方法及存储器，该电路包括依次连接的钳位电路、电流镜电路、放大电路以及模数转换电路，钳位电路、电流镜电路与铁电存储阵列的位线连接，模数转换电路与控制器连接；钳位电路用于将位线的电压锁定为预设电压；电流镜电路用于基于预设电压对位线的电流进行采样，并转换为对应的采样电压；放大电路用于放大采样电压；模数转换电路用于将放大处理后的采样电压进行模数转换，得到转换电压并发送至控制器，控制器基于转换电压得到对应的存内计算结果，解决了相关技术中存在的通过读取铁电存储阵列的源线电流得到存内计算结果准确度较低的问题。
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公开(公告)号：CN115995510A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310092618.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括：提供硅晶圆，硅晶圆包括依次层叠设置的硅顶层、掩埋氧化物层及硅基底层；将硅晶圆进行刻蚀，刻蚀方向为由硅顶层向掩埋氧化物层的垂直方向，得到具有凹槽的结构化复合衬底，凹槽包括贯穿硅顶层的第一凹槽，以及由第一凹槽延伸至掩埋氧化物层内部形成的第二凹槽，第二凹槽的深度小于掩埋氧化物层厚度；将结构化复合衬底在碳纳米材料、镓源及氧源环境条件下进行化学气相沉积，使镓源在第一凹槽内沉积生长，得到具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件。该制备方法使硅晶圆器件中氧化镓纳米结构形成高效电子传输通道，同时降低结晶层产生，避免电子在结晶层传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117575886B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410051039.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种图像边缘检测器、检测方法、电子设备、介质，其中图像边缘检测器由若干层存算一体晶体管NAND阵列堆叠而成；检测方法包括：在图像边缘检测器中预存边缘特征值；获取待匹配图像；通过SUSAN模板遍历待匹配图像，得到待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值；将待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值与预定义的灰度差阈值进行比较，得到待匹配图像中每个像素点对应的图像特征值；将两图像特征值为一组写入图像边缘检测器，与图像边缘检测器中预存的边缘特征值进行比较，得到待匹配图像的边缘信息。本发明方法算法简单，硬件开销低，在图像研究领域具有极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116863490B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311130216.5
申请日：2023-09-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G06V30/226 , G06V30/162 , G06V10/82 , G06N3/063 , G06N3/048 , G06N3/047
Abstract: 获取识别结果。本发明公开了一种面向FeFET存储阵列的数字识别方法及硬件加速器，包括：状态机，用于控制数据预处理单元和二值神经网络计算模块；数据预处理单元，用于获取输入数据，并转换为二值数据，记为第一信号；二值神经网络计算模块，包括：第一全连接层模块，基于第一信号并根据权重、偏置计算每个神经元的输出信号；激活函数模块，用于对第一全连接层模块中每个神经元的输出信号经激励函数处理后，得到第二信号；第二全连接层模块，基于第二信号并根据权重、(56)对比文件Soyed Tuhin Ahmed , Kamal Danouchi ,Christopher Münch , Guillaume Prenat ,Lorena Anghel, Senior Member, IEEE, andMehdi B. Tahoori.Dropout-Based BayesianBinary Neural Networks With SpintronicImplementation.IEEE JOURNAL ON EMERGINGAND SELECTED TOPICS IN CIRCUITS ANDSYSTEMS.2023,第13卷(第1期),全文.Tang Hu , Xiangdi Li, Xiao Yu,Songnan Ren, Li Yan, Xuyang Bai, ZhiweiXu , Senior Member, IEEE, and ShiqiangZhu.A Novel Fully Hardware-ImplementedSVD Solver Based on Ultra-Parallel BCVJacobi Algorithm.IEEE TRANSACTIONS ONCIRCUITS AND SYSTEMS.2022,第69卷(第12期),全文.王昆;周骅.深度学习中的卷积神经网络系统设计及硬件实现.电子技术应用.2018,(05),全文.
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公开(公告)号：CN117038709A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311285992.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本说明书公开了一种可重构二维沟道晶体管及其制备方法。所述可重构二维沟道晶体管包括：衬底、沟道、源极、漏极、栅极，其中，沟道位于衬底上方，源极和漏极分别位于沟道两端，栅极位于沟道上方，源极包括：源区、源极可移动离子薄膜层、源极掺杂电极、源极金属电极，漏极包括：漏区、漏极可移动离子薄膜层、漏极掺杂电极、漏极金属电极，栅极包括：栅电介质层、栅金属电极，沟道、源区、漏区由双极性层状二维半导体材料构成。
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公开(公告)号：CN116525685A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310785302.3
申请日：2023-06-29
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/788 , H01L29/78 , H01L27/088 , G06N3/065
Abstract: 本说明书公开了一种类神经突触晶体管及类神经突触晶体管电路，可以通过在类神经突触晶体管的栅区中的第一栅极或第二栅极上施加脉冲电压来控制可移动离子薄膜层中的可移动离子的极化状态，从而调制它的沟道电导和阈值电压使得类神经突触晶体管能够模拟出神经突触的兴奋和抑制状态，第二栅极的引入可避免额外添加负脉冲电压所需的极性转换电路的成本，以降低神经形态电路的成本。此外，还可以通过添加一个NMOS晶体管和类神经突触晶体管串联组成类神经突触晶体管电路，避免了第一栅极或第二栅极无脉冲信号作用时电路中的待机功耗。
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公开(公告)号：CN114664940A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210533430.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01G4/005 , H01G4/33
Abstract: 本发明公开了一种可移动离子薄膜及铁电场效应晶体管、电容、制备方法。本发明的可移动离子薄膜为绝缘氧化层，总厚度为3‑10nm；绝缘氧化层内含有可移动离子，可移动离子由带正电荷的氧空位和带负电荷的氧离子组成。可移动离子可以下电场作用下发生迁移形成偶极子。本发明的可移动离子薄膜具有类铁电特性，可作为新型铁电栅介质层代替传统钙钛矿结构和HfO2基铁电介质层用于铁电场效应晶体管，极大降低热预算和减少栅泄漏电流，离子移动的反转方式可提升器件的抗疲劳特性。
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