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公开(公告)号：CN115995510A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310092618.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括：提供硅晶圆，硅晶圆包括依次层叠设置的硅顶层、掩埋氧化物层及硅基底层；将硅晶圆进行刻蚀，刻蚀方向为由硅顶层向掩埋氧化物层的垂直方向，得到具有凹槽的结构化复合衬底，凹槽包括贯穿硅顶层的第一凹槽，以及由第一凹槽延伸至掩埋氧化物层内部形成的第二凹槽，第二凹槽的深度小于掩埋氧化物层厚度；将结构化复合衬底在碳纳米材料、镓源及氧源环境条件下进行化学气相沉积，使镓源在第一凹槽内沉积生长，得到具有氧化镓纳米结构的硅晶圆器件。该制备方法使硅晶圆器件中氧化镓纳米结构形成高效电子传输通道，同时降低结晶层产生，避免电子在结晶层传输。
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