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公开(公告)号：CN117575886A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410051039.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种图像边缘检测器、检测方法、电子设备、介质，其中图像边缘检测器由若干层存算一体晶体管NAND阵列堆叠而成；检测方法包括：在图像边缘检测器中预存边缘特征值；获取待匹配图像；通过SUSAN模板遍历待匹配图像，得到待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值；将待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值与预定义的灰度差阈值进行比较，得到待匹配图像中每个像素点对应的图像特征值；将两图像特征值为一组写入图像边缘检测器，与图像边缘检测器中预存的边缘特征值进行比较，得到待匹配图像的边缘信息。本发明方法算法简单，硬件开销低，在图像研究领域具有极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114639729A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210533320.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管、低功耗CMOS集成芯片、电路及设备。所述场效应晶体管其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有可移动离子。所述可移动离子在电场下的迁移会在界面处产生偶极子；所述偶极子在电场转向时发生反转，使得所述场效应晶体管具有负电容特性而能实现超陡峭亚阈值摆幅。本发明可以利用栅介质中可移动离子实现超陡峭亚阈值摆幅晶体管，这可用于低功耗CMOS集成芯片。
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公开(公告)号：CN114024546A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210021493.1
申请日：2022-01-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H03K19/082 , H03K19/20 , H03K19/21
Abstract: 本发明公开了一种基于存算一体晶体管的布尔逻辑实现方法、单元及电路，该方法利用存算一体晶体管特性及其读写方式实现；其基本单元由拉电阻与阈值电压可受外界物理场调控的存算一体晶体管组成；所述基本单元中拉电阻与晶体管串联且晶体管栅极独立；所述基本单元可通过不同的电压配置方式及简单的单元级联与组合在存储数据的基础上实现十六种布尔逻辑运算。本发明可利用比传统的CMOS晶体管更少的晶体管数量实现多种逻辑运算，极大优化了电路设计面积并有效解决了存储单元与数据单元之间因数据搬运带来的功耗和时延问题。
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公开(公告)号：CN116487422A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310505301.9
申请日：2023-05-06
Abstract: 本发明公开了一种基于高K界面层的高性能和高可靠性FeFET器件，其针对铪锆氧(HZO)基铁电场效应晶体管提出一种将SiO2绝缘界面层替换成更高介电常数K的绝缘材料如SiON、HfON、ZrO2等的技术方案，以高K材料作为绝缘界面层的FeFET中，高K界面层的存在提高了铁电层的分压，提升了铁电层的剩余极化强度，增大了FeFET的记忆窗口和一定读取电压下的高低电流比，降低了绝缘界面层自身承担的电场强度，减小了绝缘界面层被击穿导致器件损坏的概率，提高了器件的耐久性。
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公开(公告)号：CN114639729B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210533320.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管、低功耗CMOS集成芯片、电路及设备。所述场效应晶体管其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有可移动离子。所述可移动离子在电场下的迁移会在界面处产生偶极子；所述偶极子在电场转向时发生反转，使得所述场效应晶体管具有负电容特性而能实现超陡峭亚阈值摆幅。本发明可以利用栅介质中可移动离子实现超陡峭亚阈值摆幅晶体管，这可用于低功耗CMOS集成芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093935B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210065533.2
申请日：2022-01-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种具有逻辑特性与存储特性相互转换功能的场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备。其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有带正电荷氧空位的可移动离子。当栅电极施加有高频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于被俘获状态，使得所述场效应晶体管具备逻辑特性而能够作为逻辑器件使用；当栅电极施加有低频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于去俘获状态，使得所述场效应晶体管具备存储特性而能够作为存储器件使用。本发明可以实现逻辑特性与存储特性感相互转换并保持高性能器件状态稳定，这可用于存算一体的三维异质集成芯片。
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公开(公告)号：CN116017986B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310093328.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种逻辑门电路，包括：上拉电阻和铁电晶体管，铁电晶体管内部由上至下依次设置有主栅极、沟道和背栅极，其中，沟道的两端分别设置有源极和漏极，主栅极和沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层，沟道和背栅极之间由上至下依次设置有阻绝氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；上拉电阻与漏极连接。通过本申请，解决了相关技术中逻辑门电路工作能耗高的问题，降低了逻辑门电路的工作能耗。
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公开(公告)号：CN116017986A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310093328.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种逻辑门电路，包括：上拉电阻和铁电晶体管，铁电晶体管内部由上至下依次设置有主栅极、沟道和背栅极，其中，沟道的两端分别设置有源极和漏极，主栅极和沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层，沟道和背栅极之间由上至下依次设置有阻绝氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；上拉电阻与漏极连接。通过本申请，解决了相关技术中逻辑门电路工作能耗高的问题，降低了逻辑门电路的工作能耗。
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公开(公告)号：CN115101103A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210555968.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C11/22 , G11C11/4072
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管阵列的编程和擦除方法，该方法在晶体管底部引出电极，通过控制底电极电位对晶体管进行信息存储。以n型铁电晶体管为例，存储信息0时，栅极施加大的正电压，源端，漏端和底电极电压为0V，铁电极化正向翻转。存储信息1时，栅极，源端和漏端电压设为0V，底电极施加大的正电压，铁电极化负向翻转。由于共用底电极，可实现信息的片擦除。该方法可使铁电极化有效翻转，增大晶体管的存储窗口。相比单个器件依次擦除，片擦除能够在不增加晶体管面积的前提下高效地实现大面积擦除。该技术不仅对体衬底的铁电晶体管阵列有效，也可应用于绝缘体上硅的铁电晶体管阵列。
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公开(公告)号：CN117575886B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410051039.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种图像边缘检测器、检测方法、电子设备、介质，其中图像边缘检测器由若干层存算一体晶体管NAND阵列堆叠而成；检测方法包括：在图像边缘检测器中预存边缘特征值；获取待匹配图像；通过SUSAN模板遍历待匹配图像，得到待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值；将待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值与预定义的灰度差阈值进行比较，得到待匹配图像中每个像素点对应的图像特征值；将两图像特征值为一组写入图像边缘检测器，与图像边缘检测器中预存的边缘特征值进行比较，得到待匹配图像的边缘信息。本发明方法算法简单，硬件开销低，在图像研究领域具有极大的应用潜力。
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