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公开(公告)号：CN115101103A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210555968.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C11/22 , G11C11/4072
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管阵列的编程和擦除方法，该方法在晶体管底部引出电极，通过控制底电极电位对晶体管进行信息存储。以n型铁电晶体管为例，存储信息0时，栅极施加大的正电压，源端，漏端和底电极电压为0V，铁电极化正向翻转。存储信息1时，栅极，源端和漏端电压设为0V，底电极施加大的正电压，铁电极化负向翻转。由于共用底电极，可实现信息的片擦除。该方法可使铁电极化有效翻转，增大晶体管的存储窗口。相比单个器件依次擦除，片擦除能够在不增加晶体管面积的前提下高效地实现大面积擦除。该技术不仅对体衬底的铁电晶体管阵列有效，也可应用于绝缘体上硅的铁电晶体管阵列。
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