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公开(公告)号：CN1286230C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN01812310.4
申请日：2001-07-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/34333
Abstract: 在Ⅲ族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN1225032C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN00102851.0
申请日：2000-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
Abstract: 通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，其中，不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：直流磁电管溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及电子回旋共振方法；以及在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103367589B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310086320.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN103985792A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410048430.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。
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公开(公告)号：CN101552193A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910133694.5
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/12
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1965400A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018798.1
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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公开(公告)号：CN1315199C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02805916.6
申请日：2002-04-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , Y10S257/918
Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。
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公开(公告)号：CN1254868C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02803753.7
申请日：2002-01-10
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/203 , H01L21/205 , C30B29/40
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 在本发明中，用(Ti1-XAX)N[其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属]作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成Ⅲ族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的Ⅲ族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1194385C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN00107888.7
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
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公开(公告)号：CN1528022A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02805916.6
申请日：2002-04-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , Y10S257/918
Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。
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