-
公开(公告)号：CN1286230C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN01812310.4
申请日：2001-07-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/34333
Abstract: 在Ⅲ族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。
-
公开(公告)号：CN1225032C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN00102851.0
申请日：2000-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
Abstract: 通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，其中，不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：直流磁电管溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及电子回旋共振方法；以及在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。
-
公开(公告)号：CN1275293C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410003940.2
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
-
公开(公告)号：CN1525532A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003940.2
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
-
公开(公告)号：CN1315199C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02805916.6
申请日：2002-04-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , Y10S257/918
Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1194385C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN00107888.7
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
-
公开(公告)号：CN1528022A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02805916.6
申请日：2002-04-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , Y10S257/918
Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。
-
公开(公告)号：CN1440578A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812310.4
申请日：2001-07-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/34333
Abstract: 在III族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。
-
公开(公告)号：CN1290958A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00107888.7
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米,并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中,在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层,其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
-
公开(公告)号：CN1270420A
公开(公告)日：2000-10-18
申请号：CN00102851.0
申请日：2000-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
Abstract: 一第一Ⅲ族类氮化物层,其是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在基片上,是在包含氢或氮气与氨气的混合气体气氛中被加热,以使形成在第一Ⅲ族类氮化物层上的第二Ⅲ族类氮化物半导体层的结晶度得到改善。当第一Ⅲ族类氮化物层通过溅射方法被形成在基片上时,第一Ⅲ族类氮化物层的厚度被设置为从50埃到3000埃的范围内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.037 seconds)
