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公开(公告)号：CN100452463C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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公开(公告)号：CN1983653A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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公开(公告)号：CN1937247A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610127814.7
申请日：2006-09-20
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式AlxGa1－xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式AlxGa1－xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式AlxGa1－xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。
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公开(公告)号：CN1983555B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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公开(公告)号：CN101461046A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780019660.2
申请日：2007-05-30
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
Abstract: 提供一种具有包含AlGaN层和GaN层的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件，该器件显示出不随时间变化的薄层电阻。如图1所示，在具有包含AlGaN层1和GaN层2的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件中，当AlGaN的Al摩尔分数(x％)和AlGaN层的厚度(y nm)满足关系x+y＜55、25≤x≤40和y≥10时，y小于临界厚度，由此在AlGaN层中不产生裂缝。因此，本发明提供尽管Al摩尔分数较高但仍显示出几乎不随时间变化的薄层电阻的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983555A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN101552193A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910133694.5
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/12
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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公开(公告)号：CN101418469A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171951.X
申请日：2008-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , Y10T29/41 , Y10T117/10
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体制造系统，其中转轴转动不被中断。该III族氮化物半导体制造系统包括具有开口的反应容器；置于反应容器内部并容纳有包括至少III族金属和碱金属的熔体的坩埚；支撑坩埚并具有通过所述开口从反应容器内部延伸至反应容器外部的转轴的保持单元；覆盖转轴位于反应容器外部的部分并在所述开口处连接至反应容器的转轴盖；位于反应容器外部并调节转轴的转动驱动单元；连接至转轴盖并将包括至少氮的气体供给至转轴和转轴盖之间的间隙中的供给管，其中所述气体和所述熔体反应以生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN100470835C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610127080.2
申请日：2006-09-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L33/00 , H01L21/20
Abstract: 一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式AlxGa1-xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式AlyGa1-yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃-1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃-800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5-20nm的厚度。
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