公开(公告)号：CN1225032C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN00102851.0

申请日：2000-03-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  浅见静代 ,  渡边大志 ,  千田昌伸 ,  浅见慎也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007

Abstract: 通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，其中，不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：直流磁电管溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及电子回旋共振方法；以及在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN1189919C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01808301.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  柴田直树 ,  浅见静代

IPC: H01L21/203 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062

Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110%。

公开(公告)号：CN1254868C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02803753.7

申请日：2002-01-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 在本发明中，用(Ti1-XAX)N[其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属]作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成Ⅲ族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的Ⅲ族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1198341C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN03122630.2

申请日：2003-04-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0095

Abstract: 一种生产第III族元素氮化物半导体元件的方法，包括如下步骤：在基片(11)上形成n型层(13)；在所述n型层(13)上形成含发光层的层(14)；在所述层(14)上形成p型层(15)，p型层(15)上涂有p型杂质；蚀刻所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的至少一部分使所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的端面(31)露出来；在所述p型层的表面侧形成p电极(18)；在所述n型层(13)的所述露出来的部分上形成n电极(19)；用电子束照射所述p型层(15)以降低所述p型层的电阻；和在所述电子束照射步骤后至少酸处理所述层(14)的所述露出来的端面(31)。

公开(公告)号：CN1194385C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00107888.7

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1275293C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1525532A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1452256A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03122630.2

申请日：2003-04-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0095

Abstract: 一种生产第1II族元素氮化物半导体元件的方法，包括如下步骤：在基体(11)上形成n型层(13)；在所述n型层(13)上形成含发光层的层(14)；在所述层(14)上形成p型层(15)，p型层(15)上涂有p型杂质；蚀刻所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的至少一部分使所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的端面(31)露出来；在所述p型层的表面侧形成p电极(18)；在所述n型层(13)的所述露出来的部分上形成n电极(19)；用电子束照射所述p型层(15)以降低所述p型层的电阻；和在所述电子束照射步骤后至少酸化所述层(14)的所述露出来的端面(31)。

公开(公告)号：CN1486513A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN02803753.7

申请日：2002-01-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 在本发明中，用(Ti1－xAx)N(其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属)作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成III族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1425189A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN01808301.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  柴田直树 ,  浅见静代

IPC: H01L21/203 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062

Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。