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公开(公告)号：CN112151638B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010827989.9
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度为750‑1200℃，通过控制所述退火的温度和/或时间来调节感光波段；处理b：掺杂硼和/或磷，通过控制硼和/或磷的掺杂比例来调节感光波段。本发明可通过退火或掺杂处理调整感光层的折射率、消光系数，从而调节感光波段，扩展了感光器件类型及应用范围。
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公开(公告)号：CN114038738A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111284113.5
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/16 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。方法包括：在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束胶层；通过电子束曝光技术在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；以所述电子束胶层为掩膜刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；将所述目标曝光图形转移到所述衬底上，避免了在只通过电子束胶层将曝光图形转移至衬底时由于使用的电子束胶层厚度很薄导致该电子束胶无法用于刻蚀阻挡层，无法将形成的图形传递至衬底表面的问题，解决了由于电子束胶无法通过常规的去胶工艺进行去除导致电子束返工过程无法进行的问题，提高了曝光的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111048626B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911368532.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；在所述第二凹槽的底部形成牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述SOI衬底；在所述SOI衬底上生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN112558331A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011460354.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种热光器件及其制造方法，涉及热光器件技术领域，用于降低加热电极为光波导进行加热时的加热功耗，提高热光器件的工作性能。该热光器件包括：基底，基底包括衬底、以及形成在衬底上的光波导和加热电极；加热电极位于光波导的上方；衬底内开设有贯穿衬底的第一开口槽，第一开口槽位于光波导的下方；以及填充在第一开口槽内的低热损耗材料，低热损耗材料的导热系数小于衬底的导热系数。所述热光器件的制造方法用于制造所述热光器件。
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公开(公告)号：CN112198588A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011065987.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法，包括：在半导体基底上形成矩形硅波导；通入氢气气流，对所述矩形硅波导进行退火处理，使表面光滑，退火温度为975℃～1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修正为表面光滑的弧形波导，降低了粗糙度，从而降低波导传输损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151638A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010827989.9
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度为750‑1200℃，通过控制所述退火的温度和/或时间来调节感光波段；处理b：掺杂硼和/或磷，通过控制硼和/或磷的掺杂比例来调节感光波段。本发明可通过退火或掺杂处理调整感光层的折射率、消光系数，从而调节感光波段，扩展了感光器件类型及应用范围。
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公开(公告)号：CN108807149B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810712905.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种纳米线沟道制作方法，在该方法中，作为纳米线沟道的纳米线是由一次外延生长的第三材料层通过后续刻蚀形成的。而且，随着外延材料的生长，外延材料与衬底之间的晶格失配越来越小，外延生长由异质生长机理变为同质生长机理，如此，使得生成的晶体质量越来越好。此外，在本申请实施例中，作为纳米线沟道的纳米线的第三材料层是外延生长在第一沟槽内，属于限制性外延生长，该限制性外延生长得到的外延材料的晶体质量比开放性外延生长得到的外延材料的晶体质量高。因此，通过本申请提供的纳米线沟道制作方法制成的沟道材料具有较高的晶体质量，从而有利于提高环栅纳米线器件的性能。
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公开(公告)号：CN111554759A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010063210.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锗探测器及其制造方法，所述锗探测器的制造方法包括：在半导体衬底的上表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅；在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗；在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗；对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的锗探测器及其制造方法，采用锗硅作为缓冲层，可以达到减小锗探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN111307415A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010113555.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明实施例提供一种光波导传输系统、光波导传输损耗的测量方法，涉及光通信领域，可大大减少测量光波导传输损耗的时间。一种光波导传输损耗的测量方法，包括：光发射器通过第一光纤向检测芯片的至少三个光波导发送第一光信号；至少三个光波导为长度呈等差的波导阵列；第一光纤的第一输出端包括至少三个第一子输出端，第一子输出端与光波导一一对应；光波导通过第二光纤向光功率计发送第二光信号；第二光纤的第二输入端包括至少三个第二子输入端，第二子输入端与光波导一一对应；根据第一光信号和第二光信号，得到光波导的传输损耗。
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公开(公告)号：CN110456450B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910750000.6
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种厚膜氮化硅波导的制备方法，包括：在半导体衬底上依次形成下包层和牺牲层，牺牲层的高度与预设波导的厚度相同；以下包层上表面为终止层，光刻与刻蚀牺牲层形成芯层槽，芯层槽的宽度大于预设波导的宽度；在芯层槽内和牺牲层上沉积芯层材料，形成第一芯层；以牺牲层上表面为终止层，采用表面平坦化工艺去除多余的第一芯层；重复上述步骤直到芯层槽内形成的芯层的厚度达到预设波导的厚度为止；以下包层上表面为终止层，去除牺牲层，刻蚀芯层，形成预设波导结构；在预设波导结构和下包层上形成上包层。该方案解决了因薄膜太厚而产生的高应力问题，并优化波导形状，降低侧壁粗糙度。
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