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公开(公告)号：CN119517744A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411562920.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/46
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法，包括：在衬底上制备非晶氧化物半导体沟道薄膜，得到含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品；将样品放入等离子设备的反应腔中，并对反应腔进行抽真空处理；对抽真空后的反应腔内通入反应气体与辅助气体；对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第一次调节以在反应腔内激发反应气体起辉生成等离子体；在预设的第一时间阈值内，对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第二次调节以改变等离子体的密度与能量，在反应腔内实现非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理。该方法利用氧等离子体与含氧非晶氧化物半导体薄膜之间的氧交换，降低沟道中的氢浓度，提高非晶氧化物半导体沟道的质量。
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公开(公告)号：CN117936587A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410063765.3
申请日：2024-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种双栅薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该双栅薄膜晶体管包括：底栅电极层，位于衬底上方；底栅介质层，覆盖底栅电极层上表面、侧表面和衬底至少部分上表面；沟道层，包括n－沟道层和设置在n－沟道层两侧的n+沟道层，沟道层覆盖底栅介质层上表面；p+层，堆叠设置于n－沟道层上方，p+层与n－沟道层构成p+n－结；顶栅介质层，堆叠设置于p+层上方；顶栅电极层，堆叠设置于顶栅介质层上方且与底栅电极层相连接；源极和漏极，分别位于沟道层两侧上方；n－沟道层、p+层、顶栅介质层和顶栅电极层的长度相等。本公开还提供了一种双栅薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109922590B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115376903A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211029082.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种半导体栅结构的微波等离子体后处理方法，包括：将半导体栅结构置于反应腔内，调节反应腔内微波的输入功率和反应气体的压强，利用微波能量耦合反应气体激发产生等离子体；利用等离子体提供气氛原子在半导体栅结构中扩散所需的能量，调节处理时间对半导体栅结构进行退火掺杂。该方法利用等离子体激发提供气氛原子在栅结构中扩散所需的能量，而非利用微波产热进行热能后处理提供了半导体栅结构后处理的新思路，避开了高温对栅结构的损伤，从工艺上提供了新的退火方法，满足工业界“低温”和“高质量”的要求。
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公开(公告)号：CN114334644A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011072990.1
申请日：2020-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料掺杂后退火的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体材料；在半导体材料上形成覆盖层；对形成有覆盖层的半导体材料进行掺杂；将掺杂后的半导体材料放入反应腔，调节微波输入功率以及气体压强，以激发反应腔中的反应气体产生等离子体，并基于等离子体对掺杂后的半导体材料进行退火处理；在退火处理后，去除覆盖层。上述方法提供了一种完全不同于传统热退火的全新的退火方式，通过激发等离子体来实现退火，从原理及工艺上实现了对现有退火方法的改进。
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