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公开(公告)号：CN101373714A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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公开(公告)号：CN101812725B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010145087.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/02
Abstract: 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101330002A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710117617.1
申请日：2007-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
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公开(公告)号：CN101794850B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010113804.4
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN101894651A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010201489.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01F1/40 , H01F10/193 , H01F41/00
Abstract: 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光、磁电等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101812725A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010145087.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
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公开(公告)号：CN100587919C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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