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公开(公告)号：CN117215525A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311270938.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06F7/58
Abstract: 本公开提供了一种用于组合优化问题的随机数产生器，可以应用于概率计算技术领域。该用于组合优化问题的随机数产生器包括：概率比特电路，用于进行并行概率运算，所述概率比特电路包括概率比特阵列，用于根据输入信号进行迭代操作；数字信号处理电路，与所述概率比特电路串联形成回路，用于根据所述概率比特电路的输出信号确定所述迭代操作需要的所述输入信号，以及用于根据所述输出信号生成对应随机数。本公开提供的随机数产生器可以提高随机数产生效率，减少存储器和处理器之间数据移动消耗的大量时间和能量。
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公开(公告)号：CN106571162B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201610943304.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 上扬无线射频科技扬州有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS非易失存储器单元电路，该电路具有四个信号输入端口：分别为CTR，T，W，EN，两个信号输出端口：分别为OUT1和OUT2。该电路由五个PMOS晶体管PM1~PM5和一个电容C1组成。其中晶体管PM1和PM2的栅极和电容C1的一个端口连接在一起，形成一个浮空的存储电荷节点，晶体管PM3的栅极接地，在数据读出时作为参考晶体管使用，晶体管PM4和PM5作为开关使用，用于控制存储单元数据的输出，本发明的特点是制作时工艺流程简单，具有更短的加工时间和更低的成本，此外，该电路的电子隧穿晶体管与数据读出晶体管采用不同的晶体管实现，避免了电子注入和擦除操作对存储单元读出性能的影响，而在电子擦除时使用比电子注入时更强的外部电场，提高了数据写入的速度。
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公开(公告)号：CN115942755A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211512938.2
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 提供一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合二维材料构成，在施加电信号时产生面外极化的自旋流，驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过电信号极性控制；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性变化。还提供一种磁存储器。
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公开(公告)号：CN115775848A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211596678.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构GaN紫外光探测器的制备方法，包括：在绝缘衬底上形成底电极；将GaN薄膜转移至底电极上，在GaN薄膜上形成顶电极，底电极和顶电极与GaN薄膜形成的区域在垂直方向上有重叠，以使底电极、GaN薄膜和顶电极构成垂直结构GaN紫外光探测器。本发明提供的垂直结构GaN紫外光探测器具有暗电流低、响应速度快、开关比高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851580A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111103707.1
申请日：2021-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种自旋过滤磁隧道结，包括：第一磁性层、隧穿层和第二磁性层；第一磁性层，与外接电极连接，用于产生自旋电流；隧穿层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间，用于隔绝第一磁性层和第二磁性层；第二磁性层，具有反铁磁性，以对自旋电流进行过滤。本发明通过设置具有反铁磁性的第二磁性层，能对自旋电流进行过滤，实现巨大的隧穿磁电阻率。本公开还提供了一种自旋过滤磁隧道结的制备方法及设备。
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公开(公告)号：CN111276536B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010083615.0
申请日：2020-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应晶体管，所述晶体管包括：绝缘衬底；依次设置在所述绝缘衬底上的第一半导体层和第二半导体层；分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极和漏电极；设置在所述源电极和漏电极之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的介电层，以及，设置在所述源电极和漏电极之间的介电层上的栅极；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型或载流子浓度不同。本发明在第一半导体层和第二半导体层之间形成pn结或内建电场，提高自旋载流子注入的效率。
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公开(公告)号：CN113363378A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110611143.6
申请日：2021-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 王开友 , 刘雄华 , 佐拉.阿贝贝.贝克拉 , 曹易
Abstract: 本公开提供了一种基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元，包括：衬底、缓冲层、自旋轨道耦合层和磁隧道结层；自旋轨道耦合层的材料为产生相反自旋流的包含重金属元素的二元或多元合金材料；磁隧道结层形成于自旋轨道耦合层上；磁隧道结层包括磁自由层，所述磁自由层形成于所述自旋轨道耦合层上；在所述自旋轨道耦合层施加脉冲电流，所述自旋轨道耦合层产生相反自旋流，通过所述相反自旋流诱导所述磁隧道结中的所述磁自由层的磁矩发生180°定向翻转。本公开不再使用高密度电流通入隧穿结实现磁自由层磁化翻转的方式，通过自旋轨道耦合层中产生的相反自旋流，由自旋轨道矩诱导磁自由层磁矩发生定向翻转。
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公开(公告)号：CN110232939B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN106531884A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611213900.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流，位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层反生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。
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