-
公开(公告)号：CN100420776C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
-
公开(公告)号：CN101087057A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610012127.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一量子级联激光器谐振腔，该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上；一一维光子晶体结构，该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质交替重复多个周期组成，该一维光子晶体结构位于量子级联激光器谐振腔的后腔面，该一维光子晶体结构制作在衬底上；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层蒸镀在衬底背面。
-
公开(公告)号：CN102611003B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210105753.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。
-
公开(公告)号：CN102611003A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210105753.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。
-
公开(公告)号：CN101859983B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体波导阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体波导阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894876B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010191861.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 一种量子级联探测器结构，包括：一衬底；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底上，该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一势垒隔离层，该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位，使下欧姆接触层的四周形成台面，该势垒隔离层不掺杂；一多周期的有源区结构层，该多周期的有源区结构层制作在势垒隔离层上，该多周期的有源区结构层是实现探测器的探测光电流的核心部位；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在多周期的有源区结构层上，该上欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极，该上电极制作在上欧姆接触层上；一下电极，该下电极做在下欧姆接触层四周的台面上。
-
公开(公告)号：CN102055135A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237094.3
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器采用脊型台面双沟波导结构，脊型台面结构由均匀脊宽的主控振荡区和锥形结构的增益放大区两部分组成；光子晶体结构用以提供分布反馈波导，制作于上接触层和欧姆接触层之中。利用本发明，能够获得单模近衍射极限光束输出；采用脊型台面结合锥形增益放大区的波导结构，大大降低了远场发散角，在提高输出功率的同时又避免了同类宽脊型大功率器件难以避免的散热问题。
-
公开(公告)号：CN101859983A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体结构阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体结构阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
-
公开(公告)号：CN101630812A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810116832.4
申请日：2008-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。
-
公开(公告)号：CN100461558C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610012127.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一量子级联激光器谐振腔，该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上；一一维光子晶体结构，该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质交替重复多个周期组成，该一维光子晶体结构位于量子级联激光器谐振腔的后腔面，该一维光子晶体结构制作在衬底上；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层蒸镀在衬底背面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.032 seconds)
