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公开(公告)号：CN117790575A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311835721.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法，该环栅场效应晶体管包括：N型掺杂的氧化镓衬底；柱状沟道，形成于氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；第一绝缘层，设置在氧化镓衬底上环绕于柱状沟道周围的区域；栅极介质层，设置在第一绝缘层上，并延伸至包围柱状沟道的侧面区域；栅极金属层，设置在栅极介质层上，呈环状包围栅极介质层，适用于控制柱状沟道中的电流流动；第二绝缘层，设置在栅极金属层上，具有贯通至栅极金属层的电极孔，电极孔以柱状沟道为中心呈环状；栅极，设置在第二绝缘层上并贯穿电极孔，与栅极金属层接触；源极，设置在柱状沟道顶部；以及漏极，设置在氧化镓衬底的底部。
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公开(公告)号：CN113921512A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187945.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构；位于所述显示基板上的无衬底红光OLED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底绿光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底蓝光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接。本发明公开的MicroLED三基色发光结构可以降低能耗，利用无衬底红光OLED结构代替AlGaInP红光LED结构，可以提高发光效率；利用无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构驱动，可以提高载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN108133992B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201711402665.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214740A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136242.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN114759002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210352949.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体芯片，包括：基层芯片，以及电极层，设置在所述基层芯片上，其中，所述电极层形成多个孔；其中，所述电极层的熔点小于300℃，并且由锡、铟合金材料和锡合金材料中的一种制成。
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公开(公告)号：CN114497315A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210139488.0
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩余表面且所述感光显影层的表面高于所述外延层的表面。
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公开(公告)号：CN102544271A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075703.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一氮化镓成核层；步骤5：第二次退火；步骤6：在氮化镓成核层上依次生长非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有较大的工艺生长窗口。
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公开(公告)号：CN101812725B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010145087.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/02
Abstract: 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
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