-
公开(公告)号：CN1019721B
公开(公告)日：1992-12-30
申请号：CN91103787.X
申请日：1991-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 李建明
IPC: H01L31/068 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高光电转换效率的p-n结硅光电二极管器件，其特点是在p-n结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种p-n结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效率，提高光探测器的灵敏度和太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：CN1323428C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410007873.1
申请日：2004-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/328 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
-
公开(公告)号：CN1521861A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03103590.6
申请日：2003-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于90度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。由于光线在器件中的路径不是沿与器件表面垂直的方向，因此光线在器件中的路径就比光线垂直入射的情况要长，这能使光在器件中得到更多的吸收，并产生更大的光生电流，进而提高光探测器的灵敏度或太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：CN1056188A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91103787.X
申请日：1991-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 李建明
IPC: H01L31/068 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高光电转换效率的P-N结硅光电二极管器件，其特点是在P-N结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种P-N结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效率，提高光探测器的灵敏度和太阳能电池的效率。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.065 seconds)
