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公开(公告)号：CN105006450A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510548646.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/15 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L2933/005
Abstract: 本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法，该制备方法包括：铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS；将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带；预拉伸胶带回缩；利用半导体工艺技术，在LED外延片上形成同面电极开口LED单元排布成的阵列；将通过胶带回缩形成的褶皱石墨烯转移到形成LED单元阵列的外延片上；胶带的去除；石墨烯的图形化；与石墨烯接触金属的生长，图形化和电极引出；对LED表面进行柔性封装；柔性封装后去除LED的衬底，对LED背面进行柔性封装。本发明制备的用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列，具有可延展性强，电阻和光强对形变灵敏，出光效率高等特点。
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公开(公告)号：CN103325862A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193666.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器，其包括一层半导体衬底层；一位于所述衬底上的缓冲层；一位于所述缓冲层上的下接触层，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层；一位于所述第二量子阱层上的上接触层，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层，该金属层中具有光栅结构。本发明的优点是通过金属亚波长光栅进行光耦合，利用所产生的表面等离子体和光散射效应，实现了双色量子阱结构对垂直入射光的有效吸收。
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公开(公告)号：CN103278942A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310207968.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供了一种可调谐有源滤波器。该可调谐有源滤波器包括：光偏振输入控制单元，用于将输入光转化沿K方向入射的TM模式的偏振光；磁性滤波器本体，位于光偏振输入控制单元的光路后端，由磁性材料和电介质材料制备，为具有缺陷的，沿K方向延伸的周期性布拉格结构，用于利用周期性布拉格结构中缺陷产生的透射峰对由光偏振输入控制单元入射的偏振光进行滤波；以及磁场加载单元，用于产生垂直于K方向和入射偏振光电场方向的磁场，以对布拉格结构中缺陷产生透射峰的位置进行调制。本发明可调谐有源滤波器易于制作，响应时间较短，调谐过程灵活，并且调谐精度更高。
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公开(公告)号：CN103274353A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310136482.9
申请日：2013-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法，其制备过程包括：步骤1：取一衬底；步骤2：用物理和化学方法对衬底进行清洗；步骤3：将清洗后的衬底倾斜地置于生长室中；步骤4：采用气相沉积的方法，在衬底上生长金属纳米结构，完成制备。采用本发明制备的表面增强拉曼活性基底具有面积大、工艺简单、结构可控、成本低廉、可靠性高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101316027A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099865.8
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。利用本发明，在保证脊形光波导激光器原有输出功率、电光转换效率基本不受影响的同时，增大了平行发散角，改善了激光器的输出光斑。
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公开(公告)号：CN119208405A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411275370.6
申请日：2024-09-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了具有梯度能带的自驱动光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。具有梯度能带的自驱动光电探测器，包括：砷化镓衬底；第一透明电极和第二透明电极，均设置在砷化镓衬底上，且第一透明电极和第二透明电极不互相接触；其中，第一透明电极的材料为二维钼碳化物，第二透明电极的材料为二维钛碳化物；第一透明电极的功函数、砷化镓衬底的功函数与第二透明电极的功函数形成阶梯排布。
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公开(公告)号：CN113805272B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010551120.6
申请日：2020-06-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹偏振分束器，包括：周期性金属‑介质‑金属波导层；所述周期性金属‑介质‑金属波导层由交替排列的金属条带与介质条带构成，一个周期内包含多个介质宽度不同的波导层；所述太赫兹偏振分束器能够将入射的TE模式偏振波与TM模式偏振波进行分束。本发明利用TE与TM波导模式对介质宽度的依赖性不同来实现偏振分束功能，而TE与TM波导模式在金属波导中具有低损耗的特质，具有高效的优点。对于不同频段的太赫兹波，本发明可以通过对波导介质宽度以及波导传输长度进行调节，从而实现偏振分束效果。
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公开(公告)号：CN116973413A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310866389.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G06F18/241 , G06F18/214
Abstract: 本公开提供了一种材料识别方法、系统、装置及电子设备，该材料识别方法，包括：控制摩擦单元摩擦待识别材料，摩擦单元包括多个传感器，每个传感器的摩擦层被配置为摩擦待识别材料以产生摩擦电信号，其中，多个传感器的摩擦层的电负性不同；提取多个摩擦电信号的特征数据集；以及将特征数据集输入训练好的识别模型识别待识别材料。
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公开(公告)号：CN115191979A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210866638.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于光电容积脉搏波信号的血脂指标检测系统及方法。该方法包括至少两个环带器件，两个所述环带器件被配置为分别固定于使用者的踝部动脉和肱部动脉上，用于获取使用者的踝部动脉和肱部动脉的目标光电容积脉搏波信号，其中，所述环带器件包括光电探测器和处理电路，所述光电探测器用于获取使用者的踝部动脉和肱部动脉的光电容积脉搏波信号，所述处理电路与所述光电探测器电性连接，用于将所述光电容积脉搏波信号处理为目标光电容积脉搏波信号并发送；以及终端设备，与所述环带器件通讯连接，被配置为接收来自所述环带器件的所述目标光电容积脉搏波信号，并基于所述目标光电容积脉搏波信号得到所述使用者的血脂指标。
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