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公开(公告)号：CN103243885B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310148800.3
申请日：2013-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法。该膜系自透明基底向上依次包括镀制在透明基底上的下层氮化硅薄膜、可见光吸收薄膜、金属薄膜以及上层氮化硅保护膜。本发明的膜系在可见光范围对太阳光的平均反射率在5%～30%，而辐射率小于10%。同时本发明的膜系在保持对可见光低反射、红外低辐射率前提下，还具有外观颜色可按需求进行调节的特点，丰富多彩的外观颜色可更好地实现了窗槛墙对建筑的美化效果。由于采用了上、下层氮化硅保护膜夹心结构，本发明的膜系还具备可钢化特性。本发明的颜色可调的低辐射窗槛墙膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积透明基底上连续镀制，易于实现低成本、大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103165723B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310100439.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院
IPC: G01J11/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种汇聚增强光响应的超导单光子探测器及其制作方法，包括MgO衬底、超导单光子探测器、透明介质隔离层、金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层。超导单光子探测器、透明介质隔离层、金属反射层、透明介质层和金属光栅层依次按照从下向上的顺序生长在MgO衬底上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的金属多环结构；金属反射层为一个金属环与一个透明介质环组合而成，且两环同心。本发明通过将大面积范围内入射的信号光汇聚到很小面积的超导单光子探测器光敏面上来显著提升其响应，最大可提升30倍。
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公开(公告)号：CN104183692A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403051.9
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于特异材料增强响应率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底、金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列。金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列依次按照从下向上的顺序生长在衬底上；透明介质隔离条隔开超导纳米线与非对称金属谐振环阵列。本发明通过周期性特异结构汇聚到面积很小的超导纳米线上，大幅降低到达超导纳米线间隔无效区域的光子数量与几率，显著提升超导纳米线单光子探测器的吸收率和响应率。
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公开(公告)号：CN103017383B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210506859.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种颜色可调的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该颜色可调节的太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属衬底上的氮氧化钛薄膜、二氧化钛薄膜、氮化硅薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系对太阳能的吸收率大于96%，发射率小于4%，具有光热转换效率高和集热效率高以及颜色可调的特点。本发明的吸收膜系具有在保持良好吸收率和发射率的前提下，调节外观颜色的特点，丰富多彩的外观颜色可更好地实现太阳能集热产品与建筑一体化，满足太阳能热水器、太阳能空调等光热产品的美观、多样和个性化需求。本发明的吸收膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积衬底上连续镀制，易于实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103117333A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364932.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 , 中科德孵镀膜科技(南通)有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种提高器件良率的透明电极制作方法，包括以下步骤：①涂胶：在需要镀制透明电极的器件功能层上面涂一层光刻胶；②曝光和显影：在光刻胶上加上所需图形的光刻版进行曝光和显影；③镀膜：在前述带有光刻胶图案的器件上镀制所需的TCO薄膜；④去胶：将镀制好TCO薄膜的器件放入丙酮或其他溶解光刻胶的溶液中，洗掉光刻胶及光刻胶所保护区域上面镀制的TCO薄膜，得到所需图形的TCO薄膜。本发明先进行光刻后再镀膜，避免了腐蚀或刻蚀这一具有损伤性的步骤，从而消除了可能带来的损伤，大大地减少了腐蚀工艺给器件可能造成的破坏，既提高了产品的良品率又减小了工作量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136519A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010564411.5
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海中科高等研究院
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。
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公开(公告)号：CN100407465C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN-GaN-InN:Mn-InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN100401533C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510122955.5
申请日：2005-12-06
Applicant: 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法。本发明采用分子束外延技术，以同一块碲镉汞薄膜材料为基底，进行硼(B)离子注入。其主要工艺为：设置阻挡层；在阻挡层上规律地光刻出注入区；制作多块刻有镂空区的掩膜板；将不同的掩膜板依次分别叠加在阻挡层上，不同掩膜板露出阻挡层的光刻出的不同注入区，调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入，最终获得系列单元的p-n结。测量后，得到不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0。经比较获得最优的离子注入剂量。本方法大大提高了不同参数的单元间的可比性，有利于对影响探测器性能的参数进行系统研究，试验成本低、节省了时间和精力，使优化研究更方便。
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公开(公告)号：CN100354639C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN1306288C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510025460.0
申请日：2005-04-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B5/28
Abstract: 本发明公开了一种具有平整谐振腔层的滤光片列阵，它是利用F-P结构滤光片的带通峰位随其谐振腔层厚度的变化而改变的特性设计的。它包括基片，在基片上依次排列下层膜系、谐振腔层膜系、上层膜系。其特征在于：谐振腔膜层是厚度不同的膜层列阵，它是通过组合镀膜来实现不同厚度谐振腔膜层在同一基片上的集成，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构的优点是避免了因刻蚀引起界面粗糙而导致的滤光片性能下降和控制精度问题，与传统镀膜方法相比，制备效率和成品率都非常高。
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