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公开(公告)号：CN101894847A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101220477A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810033251.4
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23F11/04
Abstract: 本发明公开了一种用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6－10ml∶10－15ml∶0－5ml∶5.1g∶2.0－7.0g。所说的II－VI族半导体材料为ZnyCd1－yTe体材料和以其为衬底外延生长的Hg1－xCdxTe薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg1－xCdxTe薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd1－yZnyTe的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1741252A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029962.0
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法，设备包括：带真空系统的腔体，在腔体内自下而上置有控制等离子体刻蚀能量的RF源，带控温系统的样品台，下进气线圈，产生等离子体浓度的RF源，上进气线圈。利用该设备刻蚀微台面列阵的方法特征为：工艺气体选用CH4/N2/Ar，配比为1－3∶1－10∶15－30，并使其中的N2/Ar从上进气线圈进入腔体，而CH4从下进气线圈进入腔体。本发明的最大优点是：工艺气体中不含H2，并使N2/Ar从上进气线圈进入腔体，CH4从下进气线圈进入腔体，降低了刻蚀等离子体中的氢原子刻蚀基的浓度，从而减小了刻蚀表层电学损伤的厚度，而且还能保证好的刻蚀表面清洁度和较高的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN108922898B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
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公开(公告)号：CN117095387A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311066035.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种连续盲元识别标注与统计方法、系统及存储介质，涉及连续盲元识别领域，该方法包括利用面阵红外焦平面探测器获取原始盲元数据矩阵；并确定原始盲元数据矩阵中的连续盲元；将原始盲元数据矩阵中连续盲元的大小小于最小连续盲元大小p的连续盲元进行删除，得到新盲元数据矩阵；将新盲元数据矩阵中连续盲元的信息保存至结构体中；根据结构体中最大连续盲元的信息，创建连续盲元统计矩阵；利用连续盲元统计矩阵对单个连续盲元的信息进行统计；根据新盲元数据矩阵确定连续盲元分布图；根据连续盲元分布图进行连续盲元的质心位置坐标及包络尺寸数据的标注。本发明能够自动对大小大于一定值的连续盲元的大小和位置进行识别、标注与统计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113654664A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110930651.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器，在平面结构红外探测芯片的衬底上制备具有光谱分离功能的波段分束阵列，入射的宽谱红外光透过红外波段分束阵列表面微纳结构区域后发生光谱分离，不同波长红外光分别照射至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。经过红外波段分束阵列无表面微纳结构区域的全透红外光照射至超像素的第四亚像元。四个亚像元分别输出信号，利用图像合成得到红外彩色图像，同时利用图像增强融合技术获得目标更丰富的细节信息。该探测器具有探测波段丰富、信号利用率高、微型化，利用红外波长分束阵列与平面结构红外探测芯片构建超像素红外探测器的优点。
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公开(公告)号：CN113299671A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110265605.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN112013956A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010965538.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN110823377A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911093692.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的红外伪彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为伪彩色RGB信号，最后合成伪彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成伪彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN108872104A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810598150.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法。采用电感耦合等离子体技术形成碲镉汞台面结构，采用离子注入的方法把硼离子注入到P型的碲镉汞中形成PN结。使用傅里叶光谱仪对器件进行光谱扫描，同时使用灵敏电流计测量光电流响应，得到材料的归一化吸收谱图。利用归一化吸收谱图分析材料的组分。该方法采用电感耦合等离子技术分析碲镉汞材料组分的梯度分布，解决了现有的傅里叶透射光谱法和光致发光法只能测试材料表面或材料整体组分的缺点。与采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合运算相比，本方法测量出碲镉汞的组分梯度分布更加精确真实，可以直接用于指导探测器的设计。
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