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公开(公告)号：CN102938421B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210455201.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区，且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵，在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层，所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐，金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵，所述P型结终端采用梯形结构，且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布，从而有效地改善器件反向特性，并提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104716065A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510121194.5
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/26
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容-电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容-电压特性曲线的缺陷。
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公开(公告)号：CN104698279A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510121313.7
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管电容-电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容-电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C-V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN104022112A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410312125.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。
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公开(公告)号：CN102759544B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210234394.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东南大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温箱调至25℃，为二极管加一极短暂的单脉冲电流，测试不同脉冲电流大小对应的二极管压降。然后将温箱温度升至125℃，测量不同脉冲电流大小对应的二极管压降，并与25℃下所测数值进行比较，在保证压降有明显变化的前提下取一最大电流。将温箱温度降至25℃，为二极管加直流电流，大小为前面所选取的电流，待结温稳定后测量二极管压降。改变温箱温度，然后以脉冲电流测试此时二极管的压降，直至某一温度下二极管的压降与灌直流时二极管上压降相等，我们就认为此时温箱的温度即为等效结温。根据等效结温利用热阻计算公式求出二极管的热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311303A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310199858.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。
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公开(公告)号：CN103117307A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310025337.3
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N-阱，在N-阱的内部设有N阱和P阱，在N阱内设有N型体接触区和P型源区，P阱内设有P型漏区，在N-阱、N阱和P阱的表面设有场氧化层，在场氧化层的表面设有多晶硅栅，在N型体接触区、P型源区、多晶硅栅、场氧化层和P型漏区的表面设有钝化层，在P型漏区和部分场氧化层的下方设有P-阱，所述P-阱底端穿过P阱且与埋氧化层相接。这个结构能够有效地抑制kirk效应的影响，降低P型漏区电场，从而提高器件的开态击穿电压和泄放电流的能力。
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公开(公告)号：CN102938421A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210455201.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区，且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵，在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层，所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐，金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵，所述P型结终端采用梯形结构，且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布，从而有效地改善器件反向特性，并提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104716065B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510121194.5
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容‑电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容‑电压特性曲线的缺陷。
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公开(公告)号：CN105244376A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510565692.9
申请日：2015-09-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/0615
Abstract: 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，在栅氧化层的上表面形成有栅极；在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，且源极和漏极通过钝化层和栅极相隔离，其特征在于，在AlGaN掺杂层的内部设有二阶阶梯形绝缘层，所述二阶阶梯形绝缘层位于栅极与漏极之间，并且，所述二阶阶梯形绝缘层的高侧端面与栅氧化层相抵，二阶阶梯形绝缘层的各级阶梯的长度逐阶增大。这种结构的优点在于保持器件频率特性和阈值电压基本不变的前提下，显著提高器件的击穿电压。
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