公开(公告)号：CN102759544A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210234394.8

申请日：2012-07-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张春伟 ,  卫能 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01N25/20

Abstract: 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温箱调至25℃，为二极管加一极短暂的单脉冲电流，测试不同脉冲电流大小对应的二极管压降。然后将温箱温度升至125℃，测量不同脉冲电流大小对应的二极管压降，并与25℃下所测数值进行比较，在保证压降有明显变化的前提下取一最大电流。将温箱温度降至25℃，为二极管加直流电流，大小为前面所选取的电流，待结温稳定后测量二极管压降。改变温箱温度，然后以脉冲电流测试此时二极管的压降，直至某一温度下二极管的压降与灌直流时二极管上压降相等，我们就认为此时温箱的温度即为等效结温。根据等效结温利用热阻计算公式求出二极管的热阻。

公开(公告)号：CN102759544B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210234394.8

申请日：2012-07-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张春伟 ,  卫能 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01N25/20

Abstract: 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温箱调至25℃，为二极管加一极短暂的单脉冲电流，测试不同脉冲电流大小对应的二极管压降。然后将温箱温度升至125℃，测量不同脉冲电流大小对应的二极管压降，并与25℃下所测数值进行比较，在保证压降有明显变化的前提下取一最大电流。将温箱温度降至25℃，为二极管加直流电流，大小为前面所选取的电流，待结温稳定后测量二极管压降。改变温箱温度，然后以脉冲电流测试此时二极管的压降，直至某一温度下二极管的压降与灌直流时二极管上压降相等，我们就认为此时温箱的温度即为等效结温。根据等效结温利用热阻计算公式求出二极管的热阻。

公开(公告)号：CN102832232B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210289462.0

申请日：2012-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  黄婷婷 ,  卫能 ,  严岩 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。

公开(公告)号：CN102832232A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210289462.0

申请日：2012-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  黄婷婷 ,  卫能 ,  严岩 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。