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公开(公告)号：CN101237742B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810009208.4
申请日：2008-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质。提供能够减少装置的构成要素，抑制装置结构的复杂化，并且总是能够进行稳定的等离子体处理的技术。该等离子体处理装置通过切换开关(51)使第一高频电源部选择性地与上部电极(3)和下部电极(6)连接，具有自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)，在已选择等离子体类别时，参照存储部的数据，通过切换开关(51)使上述高频电源部(5)与对应的电极连接，并且将第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)中作为阻抗调整电路起作用的匹配电路调整至适当的阻抗值。
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公开(公告)号：CN100580870C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710154403.1
申请日：2007-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/46 , H05H1/00 , H01J37/32 , F17D1/04
Abstract: 本发明涉及传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法。其能在短时间内供给使载置台与玻璃基板间的空间变成设定压力的量的传热气体，并能将该空间正确保持在设定压力。传热气体供给机构(3)包括：用于向基座与基板间的空间(D)供给传热气体的传热气体供给源(30)；用于暂时贮存来自该传热气体供给源的传热气体的传热气体罐(31)；一端与该传热气体供给源连接，另一端与该空间连接着的第一传热气体流路(34)；及从该第一传热气体流路分支并与该传热气体罐连接着的第二传热气体流路(35)，经由该第一及第二传热气体流路，传热气体从传热气体供给源暂时贮存在该传热气体罐，贮存在该传热气体罐的传热气体被供给该空间。
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公开(公告)号：CN101465284A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810186170.8
申请日：2008-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F4/00 , C23C16/44 , G03F7/42 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内更换在处理容器内配置的能够更换的处理容器内部件的基板处理装置。基板处理装置(1)包括收容基板(G)的腔室(2)、在配置在腔室(2)内的载置台(3)的基材(3a)上面设置的能够更换的载置板(3b)、用于在腔室(2)内对基板(G)实施等离子体处理的高频电源(17)、以及向腔室(2)内导入处理气体的喷淋头(20)，其中，载置板(3b)利用静电吸附被安装在基材(3a)上。
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公开(公告)号：CN101237742A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009208.4
申请日：2008-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质。提供能够减少装置的构成要素，抑制装置结构的复杂化，并且总是能够进行稳定的等离子体处理的技术。该等离子体处理装置通过切换开关(51)使第一高频电源部选择性地与上部电极(3)和下部电极(6)连接，具有自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)，在已选择等离子体类别时，参照存储部的数据，通过切换开关(51)使上述高频电源部(5)与对应的电极连接，并且将第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)中作为阻抗调整电路起作用的匹配电路调整至适当的阻抗值。
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公开(公告)号：CN119451511A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410987163.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及铜层的蚀刻方法和基板处理装置。抑制在铜层形成期望的形状时的形状控制性的降低，并且也抑制铜层的蚀刻速率的降低。当蚀刻在配置于基板处理装置(10)的处理腔室(11)的内部的基板(G)的表面形成的薄膜的铜层(41)时，在一次反应中，利用由包含含氯气体且不包含氢气的第1处理气体生成的氯自由基从铜层(41)生成氯化铜(II)(44)，在二次反应中，利用由包含氢气且不包含含氯气体和其他含氯气体的第2处理气体生成的氢自由基从氯化铜(II)(44)生成氯化铜(I)的三聚体，交替地重复执行预先确定的次数的一次反应和二次反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115522181B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN117438363A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310843831.4
申请日：2023-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使基板较佳地保持于旋转滚筒的外周面的基板处理装置、基板保持装置以及基板保持方法。基板处理装置具备：圆筒形或者圆柱形的旋转滚筒，其具有沿长度方向延伸的旋转轴线；双极静电保持盘，其配置于所述旋转滚筒的外周面；以及至少两个侧部按压机构，其与所述旋转滚筒的外周面的两端部各自相对，并具有能够相对于所述旋转滚筒的外周面进退的按压销。
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公开(公告)号：CN113301701A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110180584.5
申请日：2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供使等离子体密度的均匀性提高的天线段和电感耦合等离子体处理装置。一种天线段，其通过呈筒状卷绕天线线材而形成，由所述天线线材的局部形成第1平面，其中，该天线段包括：第1天线线材，其位于卷绕轴线方向上的一侧且至少局部形成所述第1平面；以及第2天线线材，其位于所述卷绕轴线方向上的另一侧且形成所述第1平面，所述第1天线线材具有：平面上天线部，其形成所述第1平面；层叠天线部，其与所述第2天线线材分离开地配置于该第2天线线材上方；以及连结部，其连接所述平面上天线部和所述层叠天线部。
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公开(公告)号：CN105742146B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510993810.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683
Abstract: 在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。
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公开(公告)号：CN103811262B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310565810.7
申请日：2013-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备：收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形的金属窗，金属窗（2）以电绝缘的方式被分割成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），其中，第二区域（202）的径向的宽度（a）与第一区域（201）的径向的宽度（b）之比a/b在0.8以上1.2以下的范围。
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