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公开(公告)号：CN115992343A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211251480.X
申请日：2022-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够高效地对靶进行溅射。溅射成膜装置具有：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；金属窗，其与所述载置台相向，具有构成所述处理容器的顶面的第一面，且由非磁性金属构成；电感耦合天线，其与同所述金属窗的所述第一面相反一侧的、所述金属窗的第二面分离地配置，用于在所述处理容器内生成等离子体；高频电源，其与所述电感耦合天线连接；与所述金属窗连接的直流电源、直流脉冲电源以及交流电源中的任一方；以及气体供给部，其向所述处理容器内供给用于生成所述等离子体的处理气体。
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公开(公告)号：CN107622945B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201710574737.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN104916534B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510106294.0
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L29/786 , H01J37/32
Abstract: 本发明在于提供一种能够在薄膜晶体管的制造步骤中抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)实施等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(21)具备用于载置基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)进行处理容器(21)内的真空排气，从氢气供给部(262)供给作为等离子体产生用的气体的氢气。等离子体发生部(24)将上述等离子体产生用的气体等离子体化，进行在含有铝的金属膜的上层侧形成被图案化的抗蚀剂、通过含有氯的蚀刻气体对上述金属膜进行了蚀刻处理的基板的处理。
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公开(公告)号：CN107622945A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710574737.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN103081071B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180037820.2
申请日：2011-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/66833
Abstract: 本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840884A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010138555.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 宇贺神肇
IPC: H01L21/768 , H01L21/00 , G11B5/84
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种衬底的蚀刻方法以及系统，在对在硅的表面上形成有硅氧化膜的衬底进行蚀刻的方法中，能够将接触电阻降低。将包含卤素的气体和碱性气体供应到衬底(W)上，生成使包含卤素的气体、碱性气体与硅氧化膜发生化学反应得到的凝结层(105)，从而对硅氧化膜(104)进行蚀刻。将包含从F2气、XeF2气以及ClF3气的组中选择的至少一者的硅蚀刻气体供应到衬底W上，通过硅蚀刻气体对衬底(W)上的硅进行蚀刻。在结束硅氧化膜(104)的蚀刻和硅的蚀刻之后，将衬底上的(105)凝结层加热而去除该凝结层。
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公开(公告)号：CN119451511A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410987163.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及铜层的蚀刻方法和基板处理装置。抑制在铜层形成期望的形状时的形状控制性的降低，并且也抑制铜层的蚀刻速率的降低。当蚀刻在配置于基板处理装置(10)的处理腔室(11)的内部的基板(G)的表面形成的薄膜的铜层(41)时，在一次反应中，利用由包含含氯气体且不包含氢气的第1处理气体生成的氯自由基从铜层(41)生成氯化铜(II)(44)，在二次反应中，利用由包含氢气且不包含含氯气体和其他含氯气体的第2处理气体生成的氢自由基从氯化铜(II)(44)生成氯化铜(I)的三聚体，交替地重复执行预先确定的次数的一次反应和二次反应。
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公开(公告)号：CN112259457B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN107731681B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710679727.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当利用含氯气体蚀刻Ti/Al/Ti层叠膜形成源极和漏极时能够抑制颗粒的产生而且能够抑制基底的氧化物半导体膜的损失的技术。在第一等离子体蚀刻装置中，利用含氯气体对Ti/Al/Ti层叠膜的上层Ti膜和Al膜进行第一等离子体蚀刻，接着，在第二等离子体蚀刻装置中，利用含氟气体对Ti/Al/Ti层叠膜的下层Ti膜进行第二等离子体蚀刻，接着，由第二等离子体蚀刻装置，利用O2气体的等离子体或O2气体和含氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理。
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公开(公告)号：CN112259457A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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