-
公开(公告)号：CN100477104C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410070242.4
申请日：2004-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 里吉务
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01L21/302
Abstract: 本发明在两频率叠加施加方式中实现匹配电路的小型化及低造价。在该等离子体蚀刻装置中，上部电极(18)通过腔室(10)连接到接地电位(接地)，第一高频电源(40)(例如13.56MHz)及第二高频电源(42)(例如3.2MHz)分别通过第一和第二匹配器(36、38)电连接到下部电极(16)。低频率一侧的第二匹配器(38)由在最终输出部分具有线圈(62)的T型电路来构成，并可以兼用作用于遮断来自该线圈(62)上的第一高频电源(40)的高频(13.56MHz)的高频截止滤波器。
-
公开(公告)号：CN1694229A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510070127.1
申请日：2005-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/205 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，目的在于在平行平板式的等离子体处理装置中抑制在阴极电极与处理容器的壁部之间产生等离子体。在下部电极与处理容器之间设置带有电容成分的阻抗调整部。阻抗调整部把从上部电极通过等离子体、下部电极和处理容器的壁部到匹配电路的接地框体为止的路径的阻抗值，变得比从上部电极通过等离子体和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地框体为止的阻抗值更小。借助于此，就可以产生均匀性高的等离子体。
-
公开(公告)号：CN114430012A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111232792.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种边框区域窄的有机电致发光面板的制造方法。包括以下工序：准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板；在所述基板形成第一无机绝缘膜；通过湿式成膜法在所述第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有覆盖所述多个发光元件的全部的平坦部和与该平坦部的周缘部分连接的倾斜部；在所述有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜；形成覆盖所述平坦部上的所述第二无机绝缘膜的至少一部分并使所述倾斜部上的所述第二无机绝缘膜露出的掩模层；经由所述掩模层来蚀刻所述第二无机绝缘膜和所述有机绝缘膜；去除所述掩模层；在所述基板形成第三无机绝缘膜，通过使所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接合来密封所述有机绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN113782412A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110613525.2
申请日：2021-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和基板处理装置。蚀刻方法包括：工序(a)，将形成有具有第一钛膜和铝膜的层叠膜的基板配置在处理室内；工序(b)，一边追随处理室内或排气管内的压力的变化地对压力控制阀的开度进行自动控制，一边借助掩模来蚀刻第一钛膜；工序(c)，根据在工序(b)中采样得到的压力控制阀的开度的值来计算第一开度值；工序(d)，在开始蚀刻铝膜时将压力控制阀的开度设定为第一开度值，来蚀刻铝膜；工序(e)，在工序(d)中监视压力，在压力超过了阈值的情况下，利用变化量将第一开度值变更为第二开度值，蚀刻方法包括工序(f)，在该工序(f)中，在到铝膜的蚀刻结束为止的期间进行一次以上工序(e)。
-
公开(公告)号：CN104733497B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410795442.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由有机物致使发光部的有机化合物劣化的有机EL元件构造和其制造方法以及发光面板。有机EL元件构造(10)具有元件层叠部(12)，该元件层叠部(12)由在元件驱动电路层(11)上依次层叠的阳极膜(15)、含有有机化合物的发光部(16)及阴极膜(17)构成，在元件驱动电路层(11)和元件层叠部(12)之间配置有密封膜(14)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105039932B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510178260.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜装置以及排气装置和排气方法，即使成膜装置大型化，也能够防止排气结构的大型化、高成本化和复杂化并且能够抑制反应生成物在排气路径的沉积。排气单元(3)包括：对处理容器11内进行排气的前级真空泵(32)；在前级真空泵(32)的排气侧分支地设置、构成与被供给至处理容器(11)的第一处理气体和第二处理气体分别对应的排气路径的第一分支配管(33)和第二分支配管(34)；在第一分支配管(33)和第二分支配管(34)分别设置的第一后级真空泵(35)和第二后级真空泵(36)；切换排气路径的排气路径切换部(37、38)；和排气控制器(41)，其控制排气路径切换部(37、38)，使得排放气体在与第一处理气体和第二处理气体中被供给至处理容器(11)内的处理气体对应的排气路径流动。
-
公开(公告)号：CN105489655A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510633441.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
-
公开(公告)号：CN105316654A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510348818.7
申请日：2015-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、排气单元(3)和控制部(4)。排气单元具有分别与第一处理气体和第二处理气体对应的2个排气通路；和切换2个排气通路的排气通路切换部(34、35)，控制部控制气体供给单元，使得在从气体供给单元向处理室供给第一处理气体和第二处理气体时，将一种处理气体以具有时间差的方式依次供给到各处理室，并且控制排气通路切换部，使得经由与向各处理室所供给的处理气体对应的排气通路排气。
-
公开(公告)号：CN102839360B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210211011.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/45546
Abstract: 本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。具备主室（31a）；在主室（31a）内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置被处理体（G）的多个工作台（101a～101y）；以及针对每个工作台（101a～101y）分别设置一个、并遮盖载置于工作台（101a～101y）的被处理体（G）的多个罩（102a～102y），利用多个工作台（101a～101y）与多个罩（102a～102y），以包围载置于多个工作台（101a～101y）的多个被处理体（G）中的各被处理体（G）的方式，形成容量小于主室（31a）的容量的处理用小空间（106）。
-
公开(公告)号：CN103811262A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310565810.7
申请日：2013-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备：收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形的金属窗，金属窗（2）以电绝缘的方式被分割成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），其中，第二区域（202）的径向的宽度（a）与第一区域（201）的径向的宽度（b）之比a/b在0.8以上1.2以下的范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.034 seconds)
