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公开(公告)号：CN111197179A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911071261.1
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。
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公开(公告)号：CN103088314A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210419452.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜的密合膜形成工序。由此，使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。
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公开(公告)号：CN101552185B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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公开(公告)号：CN1794421B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510132170.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN101552185A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101859A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128118.2
申请日：2007-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种用于同时对多个被处理基板实施热处理的立式热处理装置，包括：立式的处理容器，用于收纳被处理基板，处理容器在下端部具有搬送口；保持具，用于在处理容器内以使被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持被处理基板；和加热器，配置于处理容器的周围，加热器隔着处理容器的侧壁供给热线，由此对处理容器内进行加热。在加热器与处理容器下端部一侧之间，以包围下端部一侧的方式配置有热缓冲部件。热缓冲部件使加热器与处理容器内的被处理基板之间的热线的传递率在下端部一侧降低。
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公开(公告)号：CN109860021A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811367054.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供了保护膜形成方法。该方法中，在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜。然后，通过蚀刻除去沉积在平坦表面区域上的氧化物膜的侧部。
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公开(公告)号：CN103088313B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210419154.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜。由此，提高了碳膜的密合性，而且即使进行除去无用的碳膜的清洁处理，也会残留耐受性预涂膜。
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公开(公告)号：CN103088314B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210419452.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜形成工序。由此，使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。
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公开(公告)号：CN101118841B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710140224.2
申请日：2007-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上形成多个气体喷出孔，该气体喷出孔在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向排列，并且与上述气体供给管路连通。将处理气体供给上述处理区域的气体供给系统，经由上述气体供给管路和上述多个气体喷出孔与上述气体供给管路的底部连接。
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