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公开(公告)号：CN114944319A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210117791.0
申请日：2022-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置,其缩短自等离子体处理装置的等离子体处理空间中的异常的产生至停止向等离子体处理空间的电力的供给的时间。该等离子体处理装置具有:装置侧控制器部,其用于进行与在等离子体处理空间进行的处理相关的控制；高频电源生成部,其用于向等离子体处理空间供给电力；以及监视部,其对自监视对象发送至装置侧控制器部的监视对象信息进行监视,基于监视对象信息检测等离子体处理空间中的异常的产生,并且以停止对于检测到了异常的产生的等离子体处理空间的来自高频电源生成部的电力的供给的方式,对高频电源生成部进行控制,装置侧控制器部对于监视部进行监视部进行监视的监视对象、以及对监视对象信息进行监视的定时的设定。
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公开(公告)号：CN111801777A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980013722.1
申请日：2019-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，并基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。
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公开(公告)号：CN110556286A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910470018.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，适当地判定是否发生了与基板的温度有关的异常的技术。基板处理方法包括以下步骤：测定施加于部件的电压的变化和流过该部件的电流，所述部件设置在对晶圆进行处理的基板处理装置；参照将多个电阻值与多个温度建立对应的转换表，根据基于该测定出的电压和电流计算出的电阻值的变化来计算该部件的温度；基于该测定出的电压的变化来判定是否发生了与该晶圆的温度有关的异常；以及在判定为发生了与该晶圆的温度有关的异常时，停止对该晶圆进行处理。
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公开(公告)号：CN118737798A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410834096.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。本发明还提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。
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公开(公告)号：CN112117178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010531470.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987230B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810538396.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加热器和多个第2加热器。多个第2加热器的个数比多个第1加热器的个数多。第1加热器控制器利用来自第1电源的交流或直流的输出对多个第1加热器进行驱动。第2加热器控制器利用来自第2电源的交流或直流的输出对多个第2加热器进行驱动，该第2电源具有比来自第1电源的输出的功率低的功率。
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公开(公告)号：CN1806216A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016146.X
申请日：2004-06-04
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
CPC classification number: G05D16/206 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/87877
Abstract: 一种以简单的构造就能正确调整作用气体的分压比，并且在紧急时能从作用气体供给管路确实抽出作用气体的相对压力控制系统。具有与被供给作用气体的作用气体供给管路连接的多个常开型气动阀(8)、分别与检出气动阀(8)串联连接而检出气动阀(8)输出的压力的压力传感器(3)、根据压力传感器(3)检测出的压力来控制气动阀(8)的操作压力的控制器(25)以及使多个气动阀(8)常时至少1个开阀地关联起来的硬联锁用电磁阀(59)，调整从多个气动阀(8)中给定了的气动阀(8)的开度，按规定的分压比输出作用气体。
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公开(公告)号：CN1573632A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047927.7
申请日：2004-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67017 , Y10T137/2499 , Y10T137/7722 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8733
Abstract: 本发明提供一种分压控制系统，其能够减少作用气体的白白浪费，同时能够提高对设定改变等的响应性能。在分压控制系统(45)中设置：并联设置在作用气体供给管路中，可变地控制作用气体的二个阀门(8)；相对各个阀门(8)串联连接，检测作用气体的压力的压力传感器(3)；基于压力传感器(3)的检测结果来按比例控制阀门(8)的操作，由此相对地控制二个阀门(8)的输出压力P1，P2的控制器(25)。
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公开(公告)号：CN116648774A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202280006404.4
申请日：2022-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 在部件更换方法中，将部件更换装置与处理装置的腔室连接(工序a)。然后，利用设置在输送臂的末端执行器的距离传感器，测量从腔室内的规定位置到输送臂的第一距离(工序b)。然后，使末端执行器移动至第一距离与第二距离之差小于第三距离的位置(工序c)。然后，利用设置在末端执行器的摄像机，对腔室内的规定位置的特征进行拍摄(工序d)。然后，使末端执行器移动，以使得特征被拍摄在由摄像机拍摄到的图像内的规定位置(工序e)。然后，以特征被拍摄在图像内的规定位置的状态的末端执行器的位置为基准，使用输送臂的末端执行器来更换腔室内的部件(工序f)。
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公开(公告)号：CN112331549A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011162092.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加热器和多个第2加热器。多个第2加热器的个数比多个第1加热器的个数多。第1加热器控制器利用来自第1电源的交流或直流的输出对多个第1加热器进行驱动。第2加热器控制器利用来自第2电源的交流或直流的输出对多个第2加热器进行驱动，该第2电源具有比来自第1电源的输出的功率低的功率。
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