基板处理装置
    1.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118737798A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410834096.5

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。本发明还提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中,按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。

    等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN112117178B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202010531470.6

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中,按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。

    等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN112117178A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010531470.6

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中,按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。

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