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公开(公告)号：CN110957239B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201910899672.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。
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公开(公告)号：CN109786290A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811353428.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B9/093 , H01L21/02082 , H01L21/67028 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的清洗装置和清洗方法，将狭小的处理室的内部清洁得干净。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置具备喷嘴和扫描机构。喷嘴朝向用于处理基板的处理室的内壁面喷出气体。扫描机构使喷嘴在处理室内沿内壁面进行扫描。
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公开(公告)号：CN109585336A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811139512.0
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理，超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触，使液膜形成处理后的基片干燥。而且，同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本发明能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。
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公开(公告)号：CN107275259A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710201871.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67161 , H01L21/67745 , H01L21/67023 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号：CN100549839C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610080314.2
申请日：2006-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38 , H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: F27D5/0037 , F27B5/04 , F27B17/0025 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67109
Abstract: 披露一种衬底加热设备，该设备包括加热衬底的热板以及支承衬底并且在第一位置和热板之上的第二位置之间运动以便在两个位置之间传递晶片的冷却板。热辐射翅片结构连接到冷却板上以便和冷却板一起运动。翅片结构经由热管热连接到冷却板上。抽吸口布置成在冷却板在初始位置时靠近翅片结构定位。翅片结构通过流过其中并且在抽吸到抽吸口之前的气体冷却，由此冷却板通过经由热管从冷却板传递到翅片结构的热量来冷却。
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公开(公告)号：CN117238796A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310655477.2
申请日：2023-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供提高超临界干燥后的基片的清洁度的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。液处理装置在基片的表面形成液膜。超临界干燥装置通过将液膜替换为超临界流体来干燥基片。第一装载锁定装置在基片的输送路径的中途，将基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者。干式清洗装置在减压下对基片的表面进行干式清洗。控制装置依次实施由液处理装置进行的液膜的形成、由超临界干燥装置进行的基片的干燥、由第一装载锁定装置进行的基片的周边气氛的切换和由干式清洗装置进行的基片的干式清洗。
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公开(公告)号：CN115206834A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210315279.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种提高多个基板处理部依次对基板进行处理的基板处理装置的生产率的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括多个第1基板处理部、一个以上的第2基板处理部以及输送部。所述第1基板处理部对基板一张一张地进行处理。所述第2基板处理部对由多个所述第1基板处理部处理了的多张所述基板同时进行处理。所述输送部将由多个所述第1基板处理部处理了的多张所述基板同时向同一所述第2基板处理部送入。
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公开(公告)号：CN111211069A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911157723.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。
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公开(公告)号：CN107154342A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710123005.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02054 , H01L21/6704 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/67034 , H01L21/02 , H01L21/02052 , H01L21/67011 , H01L21/67051 , H01L2221/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42)，所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器主体(31A)内输送，并在处理过程中保持晶圆(W)。在基板处理容器主体(41)的外方设置有支承晶圆(W)的基板支承销(49)和对保持构件(42)进行冷却的冷却板(45)。
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