公开(公告)号：CN112585722A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980053053.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田义谦 ,  梅崎翔太 ,  森山茂 ,  山本谅 ,  乌野崇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。

公开(公告)号：CN104425308B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410455722.6

申请日：2014-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森山茂 ,  尾上幸太朗 ,  后藤英昭 ,  藤原真树

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种能够实现轻量化且廉价的测定装置、基板处理系统和测定方法。实施方式的一个方式所涉及的测定装置包括搬送部、拍摄部和测定部。搬送部搬送形成有图案的基板。拍摄部配置于搬送部的上方，对载置于搬送部上的基板的图案进行拍摄。另外，测定部根据由拍摄部所拍摄的图案的图像信息来测定图案的形状。

公开(公告)号：CN102681350B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210043661.3

申请日：2012-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森山茂 ,  牧哲也 ,  田中茂喜

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备：具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个作为发光控制单位来进行发光驱动的发光驱动部、被设置成在被处理基板没有在光源下方输送的状态下能够沿着光源对被处理基板照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退来检测由光源照射的光照度的照度检测单元、存储由照度检测单元检测出的照度与发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表并且控制由发光驱动部对发光元件进行的驱动的控制部。

公开(公告)号：CN102681356A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210069291.0

申请日：2012-03-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森山茂 ,  田中茂喜 ,  尾上幸太朗

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；以及根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。