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公开(公告)号：CN102314093B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110184492.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F7/70291 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括：基板输送部件；腔室，其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间；光源，其具有沿与基板输送方向交叉的方向线状排列的多个发光元件，能够利用发光元件的发光对在下方输送的被处理基板上的感光膜照射光；发光驱动部，能够将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单元而选择性地进行发光驱动；基板检测部件，其对被基板输送部件输送的被处理基板进行检测；控制部，其被供给基板检测部件的基板检测信号，并且控制由发光驱动部进行的发光元件的驱动。
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公开(公告)号：CN103309170A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310071266.0
申请日：2013-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种辅助曝光装置，在光刻法中实现显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚或线宽的精度或面内均匀性的大幅度的提高。该辅助曝光装置（AE）（10）具有：水平搬送部（30），将基板（G）以固定的姿势在一水平方向上进行搬送；UV照射单元（32），对基板（G）上的抗蚀剂照射规定波长的紫外线（UV）；发光驱动部（34），对该UV照射单元（32）内的发光元件供给发光用的驱动电流；冷却机构（36），其将UV照射单元（32）内的发光元件冷却至设定温度；照度测定部（38），对由UV照射单元（32）进行的紫外线照射的照度进行测定；和用于控制装置内的各部的控制部（40）以及存储器（42）。
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公开(公告)号：CN102314093A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110184492.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F7/70291 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括：基板输送部件；腔室，其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间；光源，其具有沿与基板输送方向交叉的方向线状排列的多个发光元件，能够利用发光元件的发光对在下方输送的被处理基板上的感光膜照射光；发光驱动部，能够将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单元而选择性地进行发光驱动；基板检测部件，其对被基板输送部件输送的被处理基板进行检测；控制部，其被供给基板检测部件的基板检测信号，并且控制由发光驱动部进行的发光元件的驱动。
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公开(公告)号：CN113340337A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110200735.9
申请日：2021-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够对图案形状长期地高精度地进行测量的技术。本发明的一个方式的测量装置包括输送部、拍摄部、摄像机高度测量部、温度检测部和控制部。输送部输送形成有图案的基片。拍摄部配置在输送部的上方，拍摄载置于输送部的基片的图案。摄像机高度测量部配置在拍摄部的附近，测量从形成有图案基片的图案面起至拍摄部的透镜为止的高度。温度检测部检测拍摄部周边的多个部位的温度。控制部控制各部。此外，控制部基于由温度检测部检测的拍摄部周边的多个部位的温度，校正由摄像机高度测量部测量的从基片的图案面起至拍摄部的透镜为止的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102681356B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210069291.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；以及根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
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公开(公告)号：CN106017337A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610132907.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内测定形成于基板的有机膜的膜厚分布的膜厚测定装置和膜厚测定方法。实施方式的膜厚测定装置包括照射部、拍摄部和控制部。照射部将紫外光照射到形成有有机膜的基板上的照射区域。拍摄部对受到紫外光的照射的照射区域进行拍摄。控制部基于由拍摄部拍摄的拍摄图像的亮度分布求取有机膜的膜厚分布。
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公开(公告)号：CN103309170B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310071266.0
申请日：2013-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种辅助曝光装置，在光刻法中实现显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚或线宽的精度或面内均匀性的大幅度的提高。该辅助曝光装置（AE）（10）具有：水平搬送部（30），将基板（G）以固定的姿势在一水平方向上进行搬送；UV照射单元（32），对基板（G）上的抗蚀剂照射规定波长的紫外线（UV）；发光驱动部（34），对该UV照射单元（32）内的发光元件供给发光用的驱动电流；冷却机构（36），其将UV照射单元（32）内的发光元件冷却至设定温度；照度测定部（38），对由UV照射单元（32）进行的紫外线照射的照度进行测定；和用于控制装置内的各部的控制部（40）以及存储器（42）。
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公开(公告)号：CN102681350A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210043661.3
申请日：2012-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备：具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个作为发光控制单位来进行发光驱动的发光驱动部、被设置成在被处理基板没有在光源下方输送的状态下能够沿着光源对被处理基板照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退来检测由光源照射的光照度的照度检测单元、存储由照度检测单元检测出的照度与发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表并且控制由发光驱动部对发光元件进行的驱动的控制部。
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公开(公告)号：CN102681350B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210043661.3
申请日：2012-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备：具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个作为发光控制单位来进行发光驱动的发光驱动部、被设置成在被处理基板没有在光源下方输送的状态下能够沿着光源对被处理基板照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退来检测由光源照射的光照度的照度检测单元、存储由照度检测单元检测出的照度与发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表并且控制由发光驱动部对发光元件进行的驱动的控制部。
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