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公开(公告)号：CN120019478A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072486.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的一个方式的处理流体供给装置(70)包括供给管线(61)、冷却部、泵(75)、返回管线(90)、加热部和流量调节机构。供给管线(61)从供给气体状态的处理流体的处理流体供给源(60)向基片处理装置(1)供给处理流体。冷却部设置于供给管线(61)，将气体状态的处理流体冷却而生成液体状态的处理流体。泵(75)设置在供给管线(61)中的冷却部的下游侧。返回管线(90)从供给管线(61)中的位于泵(75)的下游侧的分支部(76)分支，而使处理流体返回到供给管线(61)中的位于冷却部的上游侧的汇流部(71)。加热部设置于返回管线(90)，加热处理流体。流量调节机构调节供给到加热部的处理流体的流量。
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公开(公告)号：CN117917758A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311318777.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。
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公开(公告)号：CN114068359A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110865833.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：输送模块，其配置有用于输送基板的输送装置；以及处理模块，其与所述输送模块相邻。所述处理模块包括：液膜形成单元，其在水平的所述基板的上表面形成液膜；以及干燥单元，其将所述液膜置换为超临界流体而对所述基板进行干燥。所述干燥单元包括：压力容器，其在内部形成所述基板的干燥室；盖体，其封闭所述干燥室的开口；以及支承体，其在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体相对于所述干燥室固定。所述输送装置水平地保持形成有所述液膜的所述基板，并通过所述干燥室的所述开口而进入所述干燥室。
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公开(公告)号：CN119998928A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071368.4
申请日：2023-10-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：处理容器，在所述处理容器设置有基板的搬入搬出口，所述处理容器收容所述基板；盖体，其对所述搬入搬出口进行打开关闭；闸门开闭部，其使所述盖体移动；基板搬送部，其一边保持所述基板，一边使所述基板通过所述搬入搬出口；第一开闭阀，其对向所述处理容器供给吹扫气体的第一流路进行打开关闭；以及控制部。所述控制部判断是否接着所述基板的搬出来进行所述基板的搬入，在接着所述基板的搬出来进行所述基板的搬入的情况下，在所述基板的搬出后，不将所述搬入搬出口从打开状态切换为关闭状态且不将所述第一流路从关闭状态切换为打开状态，而进行所述基板的搬入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118366890A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410040683.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法，能够提高干燥单元的维护性。基板处理装置具备干燥单元，所述干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有：压力容器，在该压力容器的内部形成有用于对所述基板进行干燥的干燥室；以及盖体，其用于将所述压力容器的开口封闭。所述基板处理装置具备支承构件，所述支承构件以使所述盖体能够沿与所述开口平行的第一方向及第二方向这两个方向移动的方式支承所述盖体，所述第二方向是与所述第一方向相反的方向。
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公开(公告)号：CN112585722B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980053053.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。
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公开(公告)号：CN115206834A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210315279.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种提高多个基板处理部依次对基板进行处理的基板处理装置的生产率的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括多个第1基板处理部、一个以上的第2基板处理部以及输送部。所述第1基板处理部对基板一张一张地进行处理。所述第2基板处理部对由多个所述第1基板处理部处理了的多张所述基板同时进行处理。所述输送部将由多个所述第1基板处理部处理了的多张所述基板同时向同一所述第2基板处理部送入。
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公开(公告)号：CN112585722A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053053.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。
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公开(公告)号：CN111446150A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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