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公开(公告)号：CN120019478A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072486.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的一个方式的处理流体供给装置(70)包括供给管线(61)、冷却部、泵(75)、返回管线(90)、加热部和流量调节机构。供给管线(61)从供给气体状态的处理流体的处理流体供给源(60)向基片处理装置(1)供给处理流体。冷却部设置于供给管线(61)，将气体状态的处理流体冷却而生成液体状态的处理流体。泵(75)设置在供给管线(61)中的冷却部的下游侧。返回管线(90)从供给管线(61)中的位于泵(75)的下游侧的分支部(76)分支，而使处理流体返回到供给管线(61)中的位于冷却部的上游侧的汇流部(71)。加热部设置于返回管线(90)，加热处理流体。流量调节机构调节供给到加热部的处理流体的流量。
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公开(公告)号：CN117917758A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311318777.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。
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公开(公告)号：CN118352268A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410023204.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制基片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置是能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：能够在内部收纳所述基片的处理容器；用于在所述处理容器内的保持位置以水平姿态保持所述基片的保持部；和用于向所述处理容器内供给所述处理流体的流体供给部，所述流体供给部能够在对所述处理容器内进行升压的中途，改变从被保持在所述保持部的所述基片的径向外侧供给的所述处理流体的流动。
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公开(公告)号：CN117976574A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410092364.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。
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公开(公告)号：CN119998928A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071368.4
申请日：2023-10-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：处理容器，在所述处理容器设置有基板的搬入搬出口，所述处理容器收容所述基板；盖体，其对所述搬入搬出口进行打开关闭；闸门开闭部，其使所述盖体移动；基板搬送部，其一边保持所述基板，一边使所述基板通过所述搬入搬出口；第一开闭阀，其对向所述处理容器供给吹扫气体的第一流路进行打开关闭；以及控制部。所述控制部判断是否接着所述基板的搬出来进行所述基板的搬入，在接着所述基板的搬出来进行所述基板的搬入的情况下，在所述基板的搬出后，不将所述搬入搬出口从打开状态切换为关闭状态且不将所述第一流路从关闭状态切换为打开状态，而进行所述基板的搬入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118366890A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410040683.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法，能够提高干燥单元的维护性。基板处理装置具备干燥单元，所述干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有：压力容器，在该压力容器的内部形成有用于对所述基板进行干燥的干燥室；以及盖体，其用于将所述压力容器的开口封闭。所述基板处理装置具备支承构件，所述支承构件以使所述盖体能够沿与所述开口平行的第一方向及第二方向这两个方向移动的方式支承所述盖体，所述第二方向是与所述第一方向相反的方向。
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公开(公告)号：CN119998929A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071396.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 本公开的一个方式的流体供给系统向在内部对基板进行处理的处理容器内供给流体，该流体供给系统具有：处理流体供给部，其供给处理流体；流体供给路径，其与所述处理流体供给部以及所述处理容器连接，用于使温度被调整后的处理流体流通到所述处理容器内；第一加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到第一温度；以及第二加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到比所述第一温度低的第二温度，其中，所述处理流体供给部具有调整所述处理流体的流量的流量调整机构，所述流体供给路径具有：第一分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第一加热机构流通到所述处理容器内；以及第二分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第二加热机构流通到所述处理容器内。
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公开(公告)号：CN118366888A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410023847.5
申请日：2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , B08B3/02 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供一种能够降低基片间的处理偏差的技术。本公开的一个方式的基片处理装置包括：单位模块，其包括用于在基片的上表面形成液膜的多个液膜形成单元和用于将所述液膜置换为超临界流体而使所述基片干燥的干燥单元；以及输送模块，其设置于多个所述液膜形成单元与所述干燥单元之间，所述输送模块具有在多个所述液膜形成单元与所述干燥单元之间输送所述基片的输送装置，在多个所述液膜形成单元的每一个与所述干燥单元之间所述基片的输送路径的长度相等。
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公开(公告)号：CN109545709B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811107656.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。
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公开(公告)号：CN120033109A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411580575.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的基板处理装置具备：处理容器，具有能收容表面被液体润湿的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理容器供给超临界状态的处理流体，处理流体供给部具有：流体供给管线，一方与流体供给源连接，另一方与处理容器连接；泵，设置于流体供给管线；加热部，设置于泵的下游侧；第一流量调整部，设置于泵与加热部之间；第一压力测定部，设置于第一流量调整部与加热部之间；第二压力测定部，设置于泵与第一流量调整部之间；分支点，设置于流体供给管线中泵与第一流量调整部之间；连接点，设置于流体供给管线中泵的上游侧；分支管线，连接分支点与连接点；第二流量调整部，设置于分支管线；控制部，控制第二流量调整部。
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