-
公开(公告)号：CN1533447A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800692.8
申请日：2003-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成，上述温度条件是通过之后的再加热，局部地金属扩散接合的部分可分离的温度条件。
-
公开(公告)号：CN105164307A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024289.9
申请日：2014-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。
-
公开(公告)号：CN1788106B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200480013128.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。
-
公开(公告)号：CN1898410B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480038982.8
申请日：2004-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/34 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/7687 , H01L2221/1078
Abstract: 本发明提供一种通过使四氯化钛与氨反应、在基板上形成氮化钛膜的方法，该方法减少底层的腐蚀。通过使四氯化钛与氨在由供给决定速率的区域中反应，一边将底层的腐蚀抑制到最小限度，一边在基板上形成第一氮化钛层。接着，通过使四氯化钛与氨在由反应决定速率的区域中反应，一边确保良好的阶梯覆盖，一边在第一氮化钛层上形成第二氮化钛层。
-
公开(公告)号：CN100466201C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03142786.3
申请日：2003-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，它不必使处理容器内对大气开放、可迅速求出温度监测用半导体硅片的热处理时的温度及其温度分布。在对被处理体(W)进行规定的热处理的热处理装置中，包括：可排气的处理容器(30)；放置被处理体的载放台(32)；向处理容器内供给气体的气体供给部件(36)；加热被处理体的加热部件(34)；根据规定的控制对象参数对加热部件的温度进行控制的温度控制部件(35)；根据以规定的浓度把第2导电型杂质注入到第1导电型半导体硅片的表面上的温度监测用半导体硅片(Wm)的薄膜电阻，对控制对象参数进行补偿的加工条件补偿部件(44)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898410A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038982.8
申请日：2004-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/34 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/7687 , H01L2221/1078
Abstract: 本发明提供一种通过使四氯化钛与氨反应，在基板上形成氮化钛膜的方法，该方法减少底层的腐蚀。通过使四氯化钛与氨在由供给决定速率的区域中反应，一边将底层的腐蚀抑制到最小限度，一边在基板上形成第一氮化钛层。接着，通过使四氯化钛与氨在由反应决定速率的区域中反应，一边确保良好的阶梯覆盖，一边在第一氮化钛层上形成第二氮化钛层。
-
公开(公告)号：CN1738922A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002342.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/458 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
-
公开(公告)号：CN109148326A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810613271.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/20 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/67109 , H01L21/67069 , H01L21/67248
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。
-
公开(公告)号：CN101481798B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910001978.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
-
公开(公告)号：CN101490307B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780026409.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: 将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.022 seconds)
