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公开(公告)号：CN108074976A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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公开(公告)号：CN101490307A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026409.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: 将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
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公开(公告)号：CN108074976B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952894B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201611191916.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。
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公开(公告)号：CN106952894A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611191916.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。
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公开(公告)号：CN106971937B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN106971937A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN101490307B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780026409.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: 将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
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