公开(公告)号：CN111986972A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010384849.9

申请日：2020-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷川雄洋 ,  山边周平 ,  内田阳平 ,  佐佐木康晴

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。

公开(公告)号：CN111092009A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910992484.5

申请日：2019-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤道茂 ,  金子彰太 ,  山边周平

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。