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公开(公告)号：CN112838028A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011296423.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，一边向处理容器供给处理流体，并从处理容器排出处理流体的工序。前者包括：使处理容器内的压力上升到比临界压力高、比处理压力低的第1压力的工序；使处理容器内的压力从第1压力上升到处理压力的工序。在使处理容器内的压力升压到第1压力的工序中将基板的温度控制为第1温度，在升压到处理压力的工序中将基板的温度控制为比第1温度高的第2温度。
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公开(公告)号：CN105321855B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510463688.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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公开(公告)号：CN103567169B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN105321855A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463688.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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公开(公告)号：CN119943707A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411489392.2
申请日：2024-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在具备浸渍处理部和单片处理部的基板处理装置中抑制基板间的处理特性的偏差。基板处理装置具备控制部，该控制部执行一系列的基板处理，该一系列的基板处理包括由浸渍处理部进行的浸渍处理、从浸渍处理部经由待机槽向第一交接部搬送基板组的第一搬送处理、从第一交接部向单片处理部搬送基板的第二搬送处理、由单片处理部进行的单片处理以及从单片处理部向第二交接部搬送基板的第三搬送处理。控制部基于针对基板组的第二搬送处理、单片处理以及第三搬送处理的累积时间，来决定针对下一个基板组的浸渍处理的开始时刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838028B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011296423.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，一边向处理容器供给处理流体，并从处理容器排出处理流体的工序。前者包括：使处理容器内的压力上升到比临界压力高、比处理压力低的第1压力的工序；使处理容器内的压力从第1压力上升到处理压力的工序。在使处理容器内的压力升压到第1压力的工序中将基板的温度控制为第1温度，在升压到处理压力的工序中将基板的温度控制为比第1温度高的第2温度。
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公开(公告)号：CN114496837A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111195593.8
申请日：2021-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其包括：处理容器，其容纳基板；基板保持部，其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于处理容器的第1流体供给部连接，向处理容器内供给处理流体；排出管线，其与设于处理容器的排出部连接，排出处理流体；旁路管线，其在设定于第1供给管线的第1分支点处从第1供给管线分支且在设定于排出管线的连接点处与排出管线连接，能够使在第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由处理容器而是向排出管线排出；以及旁路开闭阀，其使旁路管线开闭。
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公开(公告)号：CN108028193A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056032.0
申请日：2016-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J2237/335 , H01L21/02101 , H01L21/304
Abstract: 在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。
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公开(公告)号：CN105321804A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN103567169A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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