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公开(公告)号：CN119943707A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411489392.2
申请日：2024-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在具备浸渍处理部和单片处理部的基板处理装置中抑制基板间的处理特性的偏差。基板处理装置具备控制部，该控制部执行一系列的基板处理，该一系列的基板处理包括由浸渍处理部进行的浸渍处理、从浸渍处理部经由待机槽向第一交接部搬送基板组的第一搬送处理、从第一交接部向单片处理部搬送基板的第二搬送处理、由单片处理部进行的单片处理以及从单片处理部向第二交接部搬送基板的第三搬送处理。控制部基于针对基板组的第二搬送处理、单片处理以及第三搬送处理的累积时间，来决定针对下一个基板组的浸渍处理的开始时刻。
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公开(公告)号：CN118402046A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082834.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备：批处理部，其具有多个批处理单元，各个批处理单元用于在贮存于处理槽内的处理液中对多个基板一并实施液处理；单片处理部，其对由批处理部处理后的基板逐张地实施处理；待机部，其使由批处理部处理后的基板在浸渍槽内的浸渍液中等待；以及搬送系统，其从待机部向单片处理部搬送基板，所述搬送系统包括用于将基板从浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元。待机部对基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方，所述第一液处理是使基板表面亲水化的液处理、或者是提高或维持表面的亲水性的液处理，所述第二液处理是使基板表面的电动电位为负的液处理。
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公开(公告)号：CN115280473B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202180021457.9
申请日：2021-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、第一循环线路以及第二循环线路。在基板处理槽中，通过将基板浸在处理液中来对基板进行处理。第一循环线路与基板处理槽连接，使从基板处理槽排出的处理液流入基板处理槽。第二循环线路与第一循环线路连接，用于使从基板处理槽排出的处理液合流到第一循环线路中。第一循环线路具备对处理液进行加压输送的第一送液部、将处理液进行加热的加热部、以及去除处理液中的异物的过滤器。第二循环线路具备对处理液进行加压输送的第二送液部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115280473A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180021457.9
申请日：2021-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、第一循环线路以及第二循环线路。在基板处理槽中，通过将基板浸在处理液中来对基板进行处理。第一循环线路与基板处理槽连接，使从基板处理槽排出的处理液流入基板处理槽。第二循环线路与第一循环线路连接，用于使从基板处理槽排出的处理液合流到第一循环线路中。第一循环线路具备对处理液进行加压输送的第一送液部、将处理液进行加热的加热部、以及去除处理液中的异物的过滤器。第二循环线路具备对处理液进行加压输送的第二送液部。
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公开(公告)号：CN118116837A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311570361.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供能够抑制颗粒向基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前，利用单片处理部清洗基片，使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。
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公开(公告)号：CN115502140A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210667704.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够缩短处理液的更换所需时间的基片处理装置和液更换方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括：利用以第一混合比包含药液和替换液的处理液对基片实施液处理的处理槽；使从上述处理槽内取出的上述处理液返回至上述处理槽内的循环流路；向上述处理槽内和上述循环流路内的至少任一者单独地供给上述药液和上述替换液的液供给部；以及控制装置，上述控制装置构成为在用上述替换液对上述处理槽内和上述循环流路内进行了清洗后，能够控制上述液供给部，以使得以上述替换液相对于上述药液的比例比上述第一混合比低的第二混合比供给上述药液和上述替换液。
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公开(公告)号：CN115461844A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180026454.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的基片处理装置(1、1A～1C)包括处理槽(11)、第一喷嘴(30)、第二喷嘴(40、40B)和流量控制部(5)。处理槽(11)使多个基片(W)浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴(30)在处理槽(11)的内部配置于比多个基片(W)靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。第二喷嘴(40、40B)在处理槽(11)的内部配置于比第一喷嘴(30)靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。流量控制部(5)在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴(40、40B)供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片(W)靠下方，第二位置比将多个基片(W)上下分割的假想的中心线靠上方。
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公开(公告)号：CN114628281A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111469857.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永松辰也
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置在比多个基片靠下方的位置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。第2气体喷嘴组靠近第1气体喷嘴组地配置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。控制部控制各部。控制部在多个基片被浸渍在处理液中而被处理时，从第1气体喷嘴组和第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向处理液释放气体。控制部在检测出规定的切换条件的情况下，从由一个气体喷嘴组释放气体切换为由另一个气体喷嘴组释放气体。
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