公开(公告)号：CN101901781A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010182892.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  久保田和宏 ,  林大辅

IPC: H01L21/768 ,  G05B19/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低介电常数膜，以此对低介电常数膜上所形成的损伤层实施恢复处理，对设为减压状态的处理容器内导入稀释气体，使处理容器内的压力上升到低于恢复处理时的处理压力的第一压力，之后，停止导入稀释气体，将处理气体导入到处理容器内的被处理基板的存在区域，使处理容器内的压力上升到作为恢复处理时的处理压力的第二压力，保持该处理压力，对被处理基板进行恢复处理。

公开(公告)号：CN101047126A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091524.6

申请日：2007-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 堀胜 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 在叠层有例如SiOCH膜的绝缘膜的基板中，对由等离子体进行蚀刻和灰化而脱离了C元素的损伤层进行修复，该绝缘膜由含有硅、碳、氧和氢的低介电常数膜构成。使C8H18O2气体热分解，其结构式为(CH3)3COOC(CH3)3，生成CH3自由基，对该SiOCH膜供给CH3自由基，使CH3基与脱离了C元素的损伤层结合。

公开(公告)号：CN102683247B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210072681.3

申请日：2012-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  斋藤祐介 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。

公开(公告)号：CN104716025A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410663832.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  小林史弥 ,  久保田和宏 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。

公开(公告)号：CN100568461C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN01815034.9

申请日：2001-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫田浩二 ,  广濑润 ,  小田岛章 ,  户泽茂树 ,  久保田和宏 ,  千叶祐毅

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/3408

Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。

公开(公告)号：CN100508163C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710146512.9

申请日：2007-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  千叶祐毅 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH3系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置。在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH3气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。