公开(公告)号：CN1451175A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN01815034.9

申请日：2001-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫田浩二 ,  广濑润 ,  小田岛章 ,  户泽茂树 ,  久保田和宏 ,  千叶祐毅

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/3408

Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。

公开(公告)号：CN100568461C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN01815034.9

申请日：2001-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫田浩二 ,  广濑润 ,  小田岛章 ,  户泽茂树 ,  久保田和宏 ,  千叶祐毅

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/3408

Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。

公开(公告)号：CN103081071A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180037820.2

申请日：2011-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇贺神肇 ,  户泽茂树

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。

公开(公告)号：CN103081071B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180037820.2

申请日：2011-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇贺神肇 ,  户泽茂树

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。

公开(公告)号：CN101546699A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129357.9

申请日：2009-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  户泽茂树 ,  村木雄介 ,  二藤孝文

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置和处理系统，即使增高热处理装置的加热温度，也能够充分抑制硅基板下表面的金属污染。在热处理硅基板(W)的热处理装置(4)中，具有载置并加热硅基板(W)的载置台(23)，在载置台(23)的上表面配置硅、碳化硅、氮化铝的任一种构成的盖体(35)。通过将载置台(23)的上表面由硅等盖体(35)覆盖，从而抑制硅基板(W)下表面的金属污染。