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公开(公告)号：CN109196624B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780030915.9
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
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公开(公告)号：CN105810582B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610025668.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。
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公开(公告)号：CN104851794B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510076454.1
申请日：2015-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1区域上的保护膜厚的保护膜。在工序(b)中，利用碳氟化合物气体的等离子体来对第1区域进行蚀刻。在工序(a)中，将被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度。
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公开(公告)号：CN105244372A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510378428.4
申请日：2015-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063 , H01L29/66795 , H01L29/401
Abstract: 本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内的氧化硅制的残渣和第二部分进行蚀刻的工序。在对残渣和第二部分进行蚀刻的工序中，通过将被处理体暴露于包含含有氢气体和NF3气体的混合气体的等离子体中使残渣和第二部分变质，而形成变质区域，并将该变质区域除去。
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公开(公告)号：CN109075068A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780028484.2
申请日：2017-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的是提供一种以高选择比对氮化硅区域进行蚀刻的方法。在该蚀刻方法中，将包括氮化硅区域和具有与氮化硅区域不同的组成的含硅区域的被处理体收纳在处理容器内，有选择地对氮化硅区域进行蚀刻。在第一步骤中，在处理容器内通过生成包含氢氟烃气体的处理气体的等离子体，在氮化硅区域和含硅区域上形成包含氢氟烃的沉积物，在第二步骤中，利用沉积物中包含的氢氟烃的自由基对氮化硅区域进行蚀刻。交替地反复进行第一步骤和第二步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716025B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410663832.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/76802 , H01L21/76813
Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。
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公开(公告)号：CN105810579A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610018014.5
申请日：2016-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在防止开口被闭塞的同时相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体；以及第3工序，在该第3工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。在该蚀刻方法中，重复执行包含第1工序、第2工序、以及第3工序的序列。
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公开(公告)号：CN104851794A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510076454.1
申请日：2015-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1区域上的保护膜厚的保护膜。在工序(b)中，利用碳氟化合物气体的等离子体来对第1区域进行蚀刻。在工序(a)中，将被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度。
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公开(公告)号：CN104303274A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025589.4
申请日：2013-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 渡边光
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 一种方法，在该方法中，针对层叠于晶圆上的氧化硅膜层，以形成于该氧化硅膜上的硅掩模作为掩模对该氧化硅膜层进行等离子体蚀刻处理，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层(3)进行蚀刻处理，接着，利用含Si气体的等离子体在掩模上沉积含Si物质，之后，在硅的掩模上沉积有含Si物质的状态下，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层再次进行蚀刻处理。从而，形成深宽比为60以上的孔。
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公开(公告)号：CN105810581B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610021315.3
申请日：2016-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻，执行一次以上的第1序列，然后，执行一次以上的第2序列。一次以上的第1序列中的各个序列和一次以上的第2序列中的各个序列包含：第1工序，在该第1工序中，在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及第2工序，在该第2工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1区域被一次以上的第1序列中的各个序列蚀刻的量少于第1区域被一次以上的第2序列中的各个序列蚀刻的量。
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