公开(公告)号：CN101355022A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810144211.7

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  久保万身

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法在垂直方向以一定间隔将多个被处理体收纳在成膜装置的处理容器内。接着，将处理容器内设定为第一减压状态，并向处理容器内供给包含碳化氢气体的第一成膜气体，通过CVD在被处理体上形成碳膜。接着，在将处理容器内从上述第一减压状态开始维持为减压状态的条件下，将上述处理容器内设定为第二减压状态，并向处理容器内供给包含有机类硅源气体的第二成膜气体，通过CVD在碳膜上形成Si类无机膜。

公开(公告)号：CN1885496A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610093135.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  久保万身 ,  上西雅彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上的上述自然氧化膜，在该工序中，向上述反应室内输入含氯但不含氟的蚀刻气体，设定上述反应室内的蚀刻压力，并将温度设定为低于上述阈值温度的蚀刻温度。然后，清洗上述反应室内部，接着，在上述反应室内，利用CVD在上述被处理面上形成薄膜，在该工序中，向上述反应室内输入成膜气体，并将上述反应室内的温度设定为蚀刻温度。

公开(公告)号：CN110718461B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201910625440.9

申请日：2019-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  久保万身 ,  高桥丰

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: [课题]本公开提供能进行膜质的控制的成膜方法。[解决方案]具备如下工序：妨碍吸附区域的工序，使规定量的妨碍吸附自由基吸附在形成于基板上的吸附位点上，离散地形成妨碍吸附区域；使原料气体吸附的工序，使原料气体吸附在前述吸附位点上的未形成前述妨碍吸附区域的区域；和，使反应产物沉积的工序，使吸附于前述吸附位点上的前述原料气体与由等离子体活化了的反应气体反应，使反应产物沉积。

公开(公告)号：CN102339731A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110199995.5

申请日：2011-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤笃史 ,  久保万身 ,  水永觉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  B08B5/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。

公开(公告)号：CN100589230C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610093135.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  久保万身 ,  上西雅彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上的上述自然氧化膜，在该工序中，向上述反应室内输入含氯但不含氟的蚀刻气体，设定上述反应室内的蚀刻压力，并将温度设定为低于上述阈值温度的蚀刻温度。然后，清洗上述反应室内部，接着，在上述反应室内，利用CVD在上述被处理面上形成薄膜，在该工序中，向上述反应室内输入成膜气体，并将上述反应室内的温度设定为蚀刻温度。

公开(公告)号：CN100388438C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03814509.X

申请日：2003-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  久保万身

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Si和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在上述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序，其中：进行上述堆积金属氧化膜的工序，使得上述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。