公开(公告)号：CN119923708A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066588.8

申请日：2023-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。

公开(公告)号：CN119816785A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063356.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。

公开(公告)号：CN119137713A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037658.7

申请日：2023-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中根由太 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在等离子体处理方法中，(a)提供基片，所述基片具有包含第一材料的第一区域和包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。(b)供给用于对第一区域的表面进行改性的改性气体和含碳前体。(c)利用通过供给第一高频功率而从包含改性气体和含碳前体的混合气体生成的等离子体，对第一区域的表面进行改性而形成改性层。(d)停止供给第一高频功率或供给比第一高频功率小的第二高频功率，使改性层与含碳前体进行反应，从而去除改性层。

公开(公告)号：CN117855088A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311287847.8

申请日：2023-10-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤昴 ,  中根由太 ,  高桥笃史 ,  石川慎也 ,  大内田聪 ,  户村幕树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：(a)将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；(b)在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；(c)从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；(d)在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。