公开(公告)号：CN103451579A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310459329.X

申请日：2013-09-30

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 王婕丽 ,  林文松

IPC: C22C47/06 ,  C22C47/08 ,  C22C49/02 ,  C22C111/02

Abstract: 本发明涉及一种纤维结构钼铜复合材料及其制备方法，该复合材料的组织结构致密均匀、呈现明显的纤维结构特征，其中钼含量根据重量百分比所述的钼含量为55%~90%，其余为铜。制备方法为将钼纤维通过铺制、叠配制成适度蓬松的二维纤维毡；将纤维毡进行模压压制得到三维纤维预制体，压制压力控制在20-80MPa范围内；将铜锭和钼纤维预制体一起放置于ZrO2烧结舟中，铜放置于钼纤维预制体上面，在真空环境下，真空度保持在1×10-3Pa以上，在温度为1180℃~1350℃下，保温0.5h~2h；随炉冷却至160℃以下出炉，将所得钼铜合金坯表面的富铜除去，即得到纤维结构的钼铜复合材料。

公开(公告)号：CN102061431B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201010593113.9

申请日：2010-12-17

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 林文松

IPC: C22C49/10 ,  C22C49/14 ,  C22C47/08 ,  C22C111/02

Abstract: 本发明涉及一种铜钨复合材料，铜和钨互相包覆、贯通，铜钨复合材料成分为按照重量百分比钨的含量为60%-90%，其余为铜。制备方法为将钨丝进行酸洗和清洁后进行三维或二维编织，得到钨丝编织体；将铜材放置于石墨容器中，将得到的钨丝编织体放置于铜材上，在真空度大于1×10-3Pa的真空环境下、在1200~1350℃温度下保温0.5~2小时；随炉冷却至室温后去除所得坯体表面多余的铜，即制成钨铜复合材料。这种制备方法所制备的铜钨复合材料具有可避免传统工艺制备的钨铜合金因混料不均匀导致的组织不均匀问题等优点。

公开(公告)号：CN102924106A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210488169.7

申请日：2012-11-27

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 林文松

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种碳-碳化硅陶瓷复合材料的制备方法及根据该方法所制备的产品，制备步骤包括：首先将碳纤维编织成三维立体织物（下面称为碳纤维预制体）；采用气相沉积技术在碳纤维预制体上沉积一层厚度0.1~2μm的单质硅；将酚醛树脂、炭黑、乙醇、超细碳化硅粉末、聚乙烯吡咯烷酮和四甲基氢氧化铵按比例配制成混合浆料；将浆料在真空环境下加压浸渍到上述碳纤维预制体中得到复合材料坯体；将上述坯体加热固化；将固化后的坯体放在真空炉中，进行高温渗硅反应，得到高致密度、高性能的碳-碳化硅陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN102691026A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110068091.9

申请日：2011-03-21

Applicant: 上海交运股份有限公司 ,  上海交运股份有限公司汽车零部件分公司 ,  上海工程技术大学

Inventor： 张社奇 ,  张琪 ,  李悦生 ,  徐国祥 ,  林文松 ,  施子音 ,  姚华 ,  陆林芳

IPC: C23C4/12 ,  C23C4/08 ,  C23C4/10 ,  B23K11/14

Abstract: 本发明公开了一种电阻焊凸焊芯棒及在所述凸焊芯棒上喷涂耐磨层的工艺。所述工艺先对芯棒钢质基体表面等离子喷涂镍－铝合金层；再对形成的镍－铝合金层表面等离子喷射氧化铝层。本发明通过等离子喷涂工艺在凸焊芯棒表面喷涂沉积一层氧化铝以替代原有的绝缘套，氧化铝层固化于芯棒上，不仅绝缘而且耐磨，从而可以大幅度提高使用寿命。

公开(公告)号：CN101599363A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910049021.1

申请日：2009-04-09

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 林文松

IPC: H01F41/18 ,  H01F10/193 ,  H01F1/40

Abstract: 本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域，具体涉及一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法。该方法包括如下步骤：1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层，制备ZnO/Zn3N2多层膜；2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理，完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料。本发明采用磁控溅射法制备ZnO/Zn3N2多层膜，结合热氧化退火工艺，可以制备具有c轴择优取向的氮掺杂ZnO稀磁半导体。采用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计对最后得到的样品薄膜的测试结果表明，本发明获得的氮掺杂ZnO具有c轴择优取向特点、具有p型半导体的特征，并具有铁磁效应。

公开(公告)号：CN101392400A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201264.8

申请日：2008-10-16

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 林文松

IPC: C25D15/00 ,  C25D3/12

Abstract: 本发明属于表面处理技术领域，具体的说是一种金属基体表面形成峰状凸起形貌镍复合电镀层的制备工艺，其特征在于将如下原料：NiSO4·6H2O、NiCl2·6H2O、NaH2PO2·H2O、H3BO3制成基础镀液；将Al2O3或SiC或金刚石粉末或聚四氟乙烯，与分散剂十六烷基三甲基溴化氨制成复合镀液；将苯亚磺酸钠和对氨基苯磺酸混合成负整平剂；将负整平剂加入到复合镀液中制得成品镀液；然后以电解镍片作为阳极，待镀工件作为阴极进行电镀。本发明与现有技术相比，工艺简单，所得Ni/Al2O3、Ni/SiC、Ni/金刚石、Ni/PTFE复合镀层有显著的峰状凸起形貌特征，且镀层致密、与基片有良好结合。

公开(公告)号：CN1769540A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510029994.0

申请日：2005-09-23

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 钱士强 ,  王伟 ,  周细应 ,  林文松

IPC: C25D15/00

Abstract: 本发明涉及化工材料技术领域，具体地说是一种镍基纳米聚四氟乙烯复合镀层的制备方法，其工艺步骤为：添加剂预处理：将作为添加剂的20－40ml/L纳米级聚四氟乙烯以分散剂进行分散处理；镀液的制备：将分散处理后的添加剂加入沉积镍的基础镀液中形成能够沉积金属基纳米聚四氟乙烯复合镀层的复合镀液；高速电喷镀制备镀层：以高速电喷镀方式，通电或自化学反应促使镍在一定的基体上沉积，同时使聚四氟乙烯与金属共沉积制备成镍基纳米聚四氟乙烯复合镀层。本发明同现有技术相比，工艺简单，镀层组织致密，镀层与基体结合力高等优点，减摩性以及耐蚀性等多方面具有突出的性能优势。

公开(公告)号：CN1587444A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053471.5

申请日：2004-08-04

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 周细应 ,  钱士强 ,  李培耀 ,  林文松 ,  李曼萍

IPC: C25D15/00 ,  C25D5/06

Abstract: 本发明属于表面处理技术领域，具体的说是一种纳米二氧化硅复合耐磨镀层工艺，包括以下工艺步骤：工作表面预处理、电净、2号活化液活化、3号活化液活化、特殊镍打底、采用纳米二氧化硅电刷镀液进行电刷镀复合镀层。与现有技术相比，本发明制备工艺简单可靠，有利于获得性能均匀稳定的耐磨镀层，可以满足大部分耐磨零部件的需要。

公开(公告)号：CN106083061B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610453397.9

申请日：2016-06-21

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 何金玲 ,  林文松 ,  刘浩

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/65 ,  C04B41/91 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明涉及一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明不需要模具，工艺简单，条件易于控制，可制造各种形状的碳化硅零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。

公开(公告)号：CN104588664B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510050307.7

申请日：2015-01-30

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 闫学增 ,  林文松 ,  王静静

IPC: B22F7/08

Abstract: 本发明涉及一种金属封装陶瓷基体复合材料及其制作方法与应用，制作方法包括以下步骤：第一步：将质量分数分别为65％～90％的金属铝粉、5％～30％的金属钛粉及2％～5％的冰晶石进行机械混合，得到金属混合粉料；第二步：将形状规则的陶瓷块体均匀整齐的排列在模具中，陶瓷块体之间的间距为0.8～1.5mm；第三步：将第一步制得的金属混合粉料密实填充到第二步得到的陶瓷块体的间隙中，得到复合材料预制体；第四步，将复合材料预制体放入真空烧结炉中进行烧结，烧结过程中，真空度保持在10‑2Pa～10Pa之间，烧结温度700～900℃，烧结时间为10～60min，烧结后随炉冷却，得到金属封装陶瓷材料。与现有技术相比，本发明制备工艺简单，所制得复合材料中的金属与陶瓷结合致密。