公开(公告)号：CN106083061A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610453397.9

申请日：2016-06-21

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 何金玲 ,  林文松 ,  刘浩

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/65 ,  C04B41/91 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00

CPC classification number: C04B35/565 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/91 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/665

Abstract: 本发明涉及一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明不需要模具，工艺简单，条件易于控制，可制造各种形状的碳化硅零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。

公开(公告)号：CN106083061B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610453397.9

申请日：2016-06-21

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 何金玲 ,  林文松 ,  刘浩

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/65 ,  C04B41/91 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明涉及一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明不需要模具，工艺简单，条件易于控制，可制造各种形状的碳化硅零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。