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公开(公告)号：CN101369621A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810040634.4
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除n型电极pad附近外，绝缘层的上方有辅助电流扩展层，在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡，从而达到提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101188260A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710046996.X
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷层与氮化铝陶瓷叠层基板及其制备方法。本叠层基板的上层为低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层，而下层为氮化铝AlN陶瓷基板。低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层内分布电极层。其制备方法步骤为：高温共烧氮化铝AlN陶瓷基板，低温烧结LTCC陶瓷层并在LTCC陶瓷层上冲出方形或者圆形的适合安装大功率发光二极管LED的空腔，然后在LTCC陶瓷层上通过丝网印刷电路导带，并将多层LTCC陶瓷层低温共烧，最后将氮化铝AlN层与LTCC陶瓷层通过银金属或者耐高温胶烧结在一起，形成叠层基板。
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公开(公告)号：CN119894024A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510089703.4
申请日：2025-01-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于半导体显示器件制备技术领域，具体涉及一种全印刷膜层图案化的方法。本发明将打印与溶液涂布相结合，大面积内仅部分区域进行打印，大部分区域进行涂布，实现了全印刷膜层图案化，工艺时间短，工艺节拍高，无需昂贵设备。并且，本发明提供的方法对膜层界面无污染风险，能够保护膜层表面的界面特性，保证器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN115294919B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211005643.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 上海大学
IPC: G09G3/32 , G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种面向微显示器的低功耗像素调制电路系统和方法，包括：主电路，所述主电路控制LED的阳极电压，所述主电路为能够消除信号竞争和降低功耗至预设值的单地址线锁存SRAM电路单元。本发明很好的解决了传统像素锁存带来的信号竞争和高功耗的问题：通过单地址位线锁存策略，消除了传统像素锁存电路中的位线对同时变化引起的驱动基板电流密度的极大波动和不必要的信号竞争；PMOS型的T6管可以消除串扰，同时缩短晶体管T1‑T4的栅长和栅宽，达到降低功耗的作用。
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公开(公告)号：CN119559326A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411625343.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种单目实时密集型深度估计方法及系统，其中，方法包括：在感存算一体化视觉传感器控制液态镜头焦距连续变焦的过程中，采集多张清晰物体边缘图像；在图像采集过程中确定视野中清晰物体边缘所对应的焦距；根据视野中清晰物体边缘所对应的焦距、感存算一体化传感器和液态镜头之间的距离以及相机成像原理，确定清晰物体边缘对应的深度信息；根据深度信息，对清晰物体边缘进行颜色赋予处理，并将多张清晰物体边缘图像进行图像融合处理，生成稀疏型深度估计图像；对稀疏型深度估计图像中的清晰物体边缘进行边缘填充处理以及深度填充处理，确定密集型深度估计图像。通过本发明，在计算资源受限的环境中实现高效准确的深度估计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119546019A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411426568.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 上海大学
IPC: H10H29/10 , H10H29/01 , H10H20/813
Abstract: 本发明公开一种基于垂直堆叠的全彩Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及显示器件技术领域。所述微显示器件包括：由下至上依次设置的CMOS驱动基板和以垂直堆叠形式排布的三色外延层，所述CMOS驱动基板和所述三色外延层之间还设有P电极，所述三色外延层的顶端还设有共N电极。本发明能够通过垂直堆叠的结构设计，避免传统水平方向上三像素并排布局的局限。
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公开(公告)号：CN119536812A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411591391.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 上海大学
IPC: G06F9/318 , G06N3/0499
Abstract: 本发明涉及二值化神经网络领域，具体而言，涉及一种基于RISC‑V的二值化神经网络加速器，其通过细致考量目标网络架构需求及其当前任务需求，筛选指定加速器内相对目标网络当前任务执行的适配RISC‑V指令集，在适配RISC‑V指令集针对目标网络当前任务执行驱动过程中，有效评估指定加速器针对目标网络当前任务执行的通信保障能力，待目标网络当前任务执行完毕，有效评估指定加速器针对目标网络当前任务执行的质量保障能力，综合通信保障能力和质量保障能力，评价指定加速器针对目标网络当前任务执行的驱动效果并进行反馈，帮助深入了解基于RISC‑V的二值化神经网络加速器的任务驱动性能和处理能力，进而增强加速器使用安全性和决策支持能力。
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公开(公告)号：CN119292362A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411406804.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 上海大学
IPC: G05D19/02
Abstract: 本发明提供一种基于卡尔曼滤波的平台振动补偿计算、控制方法及系统，包括：根据运动平台的运动状态，提出运动平台振动下的动力学模型，并将其离散化，得到离散下的状态空间方程；利用激光传感器对运动平台的振动信号进行测量，考虑其测量噪声，得到测量方程；通过拓展卡尔曼滤波器，对所述测量方程获得的测量数据和离散且不断迭代的先验状态估计进行数据融合，得到接近真实状态的状态估计值；将所述位移期望值和所述状态估计值作差，确定补偿控制信号用于平台振动补偿。本发明通过卡尔曼滤波器实现先验状态估计与测量值的融合，从而提升系统测量数据的信噪比。
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公开(公告)号：CN119230668A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411238936.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于混合键合工艺的Micro‑LED显示器及其制备方法，涉及显示器制备技术领域。所述制备方法包括：利用硅基板和聚合物材料制备Micro‑LED显示器的基板；使用倒装键合机，并通过施加压力和温度将所述基板与Micro‑LED芯片之间进行混合键合，得到Micro‑LED显示器。本发明能够通过引入聚合物材料，提升Micro‑LED显示器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN118734664A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410799313.1
申请日：2024-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本公开提供一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法，包括：确定稳态近似状态的原子能级的速率方程；确定Z箍缩聚变中氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型；根据氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型和稳态近似状态的原子能级的速率方程，确定氙等离子体的速率平衡方程；确定相邻能级的布居密度比；根据相邻能级的布居密度比，确定简化的氙等离子体的速率平衡方程；确定谱线强度比值；根据简化的氙等离子体的速率平衡方程、谱线强度比值以及预设的Boltzmann方程，确定氙等离子体电子温度。通过本公开，采用相对光强线比法简便的计算Z箍缩条件下氙等离子体的电子温度，减少数据处理量，并提高数据准确率。
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