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公开(公告)号:CN101369621A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810040634.4
申请日:2008-07-16
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺,它包括:p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层,在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平,在芯片四周除n型电极pad附近外,绝缘层的上方有辅助电流扩展层,在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡,从而达到提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号:CN102004028A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010285365.5
申请日:2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管封装结构有效散热性的好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线,由指数拟合该曲线来获得表征该封装结构有效散热性的等效散热系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管封装结构有效散热性,对于寻找最优化的封装材料和封装结构,提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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