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公开(公告)号:CN105837833A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610296466.X
申请日:2016-05-07
Applicant: 上海大学
IPC: C08G83/00
CPC classification number: C08G83/008
Abstract: 本发明涉及一种二硫键交联的C3多肽超分子螺旋聚合物的制备方法。该C3多肽单体能够在四氢呋喃溶液中通过层层自组装形成超分子螺旋聚合物,通过氧化多肽侧链上的巯基交联生成二硫键得到二硫键交联的C3多肽超分子螺旋聚合物。该二硫键交联的C3多肽超分子螺旋聚合物在一定温度区间内,随温度升高,组装体手性变化不大;在良溶剂下组装体能够稳定存在并保持左手螺旋结构。该类超分子螺旋聚合物具有合成简单,手性可靠,结构稳定的优点,可应用于手性识别、手性分离、不对称性催化等诸多领域。
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公开(公告)号:CN104460201A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410769281.7
申请日:2014-12-12
Applicant: 上海仪电电子股份有限公司 , 上海大学
CPC classification number: G03B21/16
Abstract: 本发明公开了一种应用于激光投影机的散热装置,用于对激光投影机内的激光发生器进行散热,其特征在于,包括:对所述激光发生器的侧壁发热面进行散热的第一散热机构;和对所述激光发生器的底部发热面进行散热的第二散热机构;其中,所述第一散热机构位于所述激光发生器的前侧,并且,所述第二散热机构位于所述激光发生器的左侧或右侧;并且,所述第一散热机构和所述第二散热机构均与所述激光投影机内的控制部连接。该散热装置通过设置第一散热机构和第二散热机构并采用交换散热的方式同时对激光发生器进行散热,具有散热效率高,散热效果好,无噪音的优点。
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公开(公告)号:CN103594626A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310583381.6
申请日:2013-11-20
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0001 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管,主要由基板、栅电极、栅绝缘层、源漏电极及有机半导体层组成,有机半导体层作为有源层,在源漏电极和有机半导体层之间还设有电极修饰层,电极修饰层通过在源漏电极上固定DNA分子材料自组装而形成。本发明公开了一种有机薄膜晶体管。本发明在电极表面固定DNA分子材料,在电极的表面自发形成高度有序的DNA单分子膜,从而提高了底接触OTFT的电荷注入,有效提高有机薄膜晶体管的输出电流和减小有机薄膜晶体管的阈值电压,提高器件的迁移率和开关比,降低器件的夹断电压。
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公开(公告)号:CN102738416A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210193833.5
申请日:2012-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 一种制备有机半导体纳米线的方法。提供一种制备成本低廉,工艺简单,可用于工业大规模制备有机纳米线的方法。在称量瓶中加入一定量的有机溶剂,然后加入已经称量的有机半导体材料作为溶质。最终配置溶液浓度在0.3-1.5mg/mL。在称量瓶中放入磁力搅拌子,接着在超声机中超声25-30分钟。超声完后,将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上,调节加热温度在45-50℃,搅拌速率为200-700rpm,静置12小时。静置后过滤获得滤液。选取表面干净基板衬底放入适当承载容器中,并将承载容器放入密闭容器。密闭容器中盛有配置溶液所需溶剂用来保持溶剂气氛,溶剂体积与密闭容器体积比在0.02-0.1之间。接着将滤液滴入到干净基板上,溶液体积与基板面积比例为80-82µL/cm2,密闭静置。环境温度保持在21~26℃。静置24~72小时后,即可在基板上得到有机纳米线。这种纳米线材料在有机光电子器件中具有十分广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN105256788A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510739224.9
申请日:2015-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: E02D3/11
Abstract: 本发明公开了一种吹填软土地基加固处理系统及网格式真空预压联用电渗法的处理方法,针对现有的真空预压联合电渗法处理吹填软土地基时,存在的施工初期吹填软土含水量大、强度极低,进而导致工人和机械均难以入场的问题,本发明在施工前期采用横向排水系统和电渗系统进行浅层地基处理,以及后期通过竖向排水系统进行深层地基加固。通过电极的垂直布置,使得孔隙水的电渗渗流方向和横向排水系统的真空渗流方向重合,最大限度的提高真空预压联合电渗的处理效率;使用本发明的排水系统布置方式可以实现对浅层和深层地基的加固。本发明具有施工方便、处理高效等优势,将电渗和真空预压进行优势互补,适用于大面积吹填软土地基加固。
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公开(公告)号:CN104785700A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510135362.6
申请日:2015-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: B21J13/08
Abstract: 本发明涉及一种多工位冷镦机机械手装置,包括橡胶固定环,螺杆与螺母,拉杆导路固定座,由第一杆件、第二杆件、第三杆件、第四杆件组成的四杆结构,调节螺母,机械手架,机械手右部件,机械手左部件,微型液压杆,机械手架后面板,磁铁块,绝缘外壳,电磁线圈,T字型拉杆,复位弹簧和扭力弹簧。本发明通过电磁线圈的通断电来控制机械手左右部件的开合,大大节省了整体机构的体积;通过四杆结构杆件间的扭力弹簧及置于拉杆导路固定座中的复位弹簧与安装于四杆结构上的微型液压杆间的相互作用,能够做到四杆结构在完成夹紧工件的步骤后精准的回位;通过调节螺母调节机械手左右部件的开合角度以适应不同工件的大小。
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公开(公告)号:CN103866758A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410054144.5
申请日:2014-02-18
Applicant: 上海大学
IPC: E02D3/11
Abstract: 本发明公开了一种真空电渗复合电极,包括增压管、顶帽、密封环、气动两通接头、圆管和锥形底帽;所述增压管穿过顶帽与密封环,并插入气动两通接头,通过顶帽把气动两通接头固定在圆管的顶部,并保持密封,在圆管的上部设有导线连接孔;在圆管的下部密布圆形小孔,所述锥形底帽安装在圆管的底端。本发明除了可用于传统的电渗法外,还可用于联合增压式真空预压或气压劈裂等工法,并可将电渗-真空预压(放气和增压)-气压劈裂等工法进行联合。本发明安装便利,可极大地提高地基处理的效果,降低处理成本,在大面积地基处理时,经济效益尤为明显。
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公开(公告)号:CN102544051A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110253912.6
申请日:2011-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/28 , H03K19/0948 , H01L51/40
Abstract: 本发明涉及一种有机互补反相器及其制备方法。该有机互补反相器在同一基板上由N型和P型两个互补晶体管组成,P型晶体管是由一n型材料和一p型材料的异质结构成,N型晶体管由n型材料构成,两个晶体管的n型材料共用,在制备n型有源层时不需使用掩模板。本发明简化了器件结构和制备工艺,并首次使用全有机晶体管做互补电路,电学性能参数良好并且稳定,使有机电子器件的优势尽显在互补反相器电路中。
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公开(公告)号:CN101753495A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN201010023085.7
申请日:2010-01-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种甚小线性调频键控的超窄带广播通信调制方法,其步骤:1)生成甚小线性调频键控(VMCK)的超窄带信号作为载波,其式:,其中,S(t)表示一个码元的VMCK信号,有n个线性调频周期,其式:S(b,α,n,t)=sin{2πnfs[1-bα+bαfst]t},b=±1 0<α≤1 0<t≤1/fs式中,fs为比特传输速率;α为甚小线性调频系数;2)调制发送信号频带的载波频率:发送端将音频信号叠加直流分量,将数据信息二进制转换后进行甚小线性调频键控调制,把音频信号与经甚小线性调频键控调制的二进制数据形成的载波信号作乘法运算得到二次调制信号,实现将音频信号调制到频率fs上。该方法用VMCK超窄带信号调制方式,实现甚小线性调频的载波信号和音频信号的以频分复用的方式进行信息传输;有效利用空余带宽和载波频率能量传输更多数据信息。
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公开(公告)号:CN101562196A
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200910052040.X
申请日:2009-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种多源共漏薄膜晶体管及其制备方法,采用以下技术方案:该晶体管包括玻璃衬底、位于上述衬底上的栅极层、位于上述栅极层上的栅极绝缘层、位于上述栅极绝缘层的有源层,在上述有源层上置有一个漏极和至少二个源极,漏极分别与源极之间有沟道,之间有沟道,沟道长度为20-30um。该晶体管具有至少二个源极,所以在施加相同的源漏电压的条件下,工作电流ID是现有晶体管至少两倍。本发明的制备方法可控性强,能保持制备的晶体管具有大的驱动电流,与现有的工艺兼容,有利于规模生产。
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