一种现场可编程门阵列软错误容错方法及结构

    公开(公告)号:CN105808367A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610125319.6

    申请日:2016-03-04

    CPC classification number: G06F11/0706

    Abstract: 本发明公开了一种现场可编程门阵列软错误容错方法及结构,该方法包括:利用布线算法,找出现场可编程门阵列中源逻辑单元和目标逻辑单元之间的原始路径和备份路径,所述备份路径不同于所述原始路径且与所述原始路径具有相同逻辑配置;当所述原始路径或备份路径出现软错误时,控制所述原始路径或备份路径中出错线路也就是受害线的输出电平值;对所述原始路径和所述备份路径进行逻辑或运算,使目标逻辑单元获得正确的信号值。本发明在现有的布线资源中找出原始路径和备份路径,针对布线资源进行备份恢复,只需要增加占用资源很少的错误控制电路和错误恢复结构,即可实现现场可编程门阵列软错误容错,降低了容错结构中的资源开销,冗余结构少。

    基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法

    公开(公告)号:CN116577871A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310572186.7

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法,通过在在衬底上旋涂光刻胶后进行掩膜对准式曝光;然后采用包层刻蚀去除顶部和底部包层材料后利用C4F8和SF6进行深硅刻蚀实现高深宽比、侧壁陡直的硅刻蚀;最后将晶片解理成独立芯片,其台阶状的沟道用于与光纤进行耦合。本发明通过特定深度深硅刻蚀槽图形,运用光刻及深硅刻蚀手段制备特定深度的深硅刻蚀槽,利用光刻和刻蚀的高精度从而实现光纤到芯片上波导耦合条件,如高度、距离等的精确控制,有效提高耦合容差和耦合鲁棒性。

    一种锂电池用复合集流体及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN118588949A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410780154.0

    申请日:2024-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种锂电池用复合集流体及其制备方法、应用,该复合集流体是由高极性聚合物夹层及其表面的金属镀层构成,所述高极性聚合物夹层是由二异氰酸酯单体和聚酯多元醇单体/聚醚多元醇单体加入至溶剂中缩合聚合反应后作为预聚物,然后添加二酰肼单体、交联剂经溶液法聚合反应,将反应产物成膜制备得到高极性聚合物夹层。通过提供一种与金属镀层之间具有强相互作用的高极性聚合物夹层,显著提升了复合集流体的界面稳定性和柔性;同时,利用高极性聚合物夹层与金属镀层强相互作用,可构建出超薄的纳米化金属镀层,在实现锂金属的均匀成核和沉积同时,大幅降低其重量;其组装所得锂电池,具备高能量密度、高库伦效率和长循环寿命的优势。

    喷射共沉积准晶颗粒增强铝基复合材料的制作工艺

    公开(公告)号:CN1169984C

    公开(公告)日:2004-10-06

    申请号:CN01142618.7

    申请日:2001-12-11

    Inventor: 徐洲 李小平 王硕

    Abstract: 喷射共沉积准晶颗粒增强铝基复合材料的制作工艺在铝基复合材料的材质符合以下条件的前提下实施:基体材料为:AlaMbNc,其中,a+b+c=100为重量百分比:86≤a≤100,0≤b≤13,0≤c≤1,M表示Si,Mg,Cu,Zn中至少一种;N表示Ni,Fe,Cr中的一种或几种;AlCuFe准晶颗粒的制备:制取粉末,过筛后得到20-100μm的准晶颗粒,成分为:AlxCuyFez,其中:x+y+z=100为原子百分比,62≤x≤67,21≤y≤26,12≤z≤15;基体熔化后,进行喷射沉积,基体合金的温度为870℃-1100℃,金属液流量为3-6kg/min,雾化气压为7-12atm,沉积高度为120-300mm。本发明具有工艺简单、操作方便,增强颗粒与合金液接触时间短,凝固速率高,有利于环保。

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